Detailed Information on Publication Record
2004
X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers
KLANG, Pavel, Václav HOLÝ, Richard ŠTOUDEK and Jan ŠIKBasic information
Original name
X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers
Name in Czech
Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou
Authors
KLANG, Pavel (203 Czech Republic, guarantor), Václav HOLÝ (203 Czech Republic), Richard ŠTOUDEK (203 Czech Republic) and Jan ŠIK (203 Czech Republic)
Edition
2004. vyd. Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika, Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004, p. 53-53, 2004
Publisher
TECON Scientific, s.r.o.
Other information
Language
English
Type of outcome
Stať ve sborníku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
Czech Republic
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
RIV identification code
RIV/00216224:14310/04:00010934
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000230243500021
Keywords in English
X-ray; Diffuse Scattering; Defect; Silicon; Nitrogen doping
Tags
Změněno: 17/3/2006 12:58, Mgr. Pavel Klang, Ph.D.
V originále
We have studied nitrogen-doped silicon wafers (001) using triple-axis high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space map determines the type of dislocation loops and from cross section we can determine their radius and concentration. These parameters were combined with the results from infrared absorption spectroscopy method.
In Czech
Použitím rentgenové difrakce s vysokým rozlišením (HRXRD) jsme studovali dusíkem dopované křemíkové desky (001). Mapy rozložení intenzity v reciprokém prostoru od shluků defektů, vrstevných chyb a dislokačních smyček byly modelovány použitím Krivoglazovy teorie a kontinuálního modelu deformačního pole defektu. Dobré shody teorie s experimentálními daty bylo dosaženo pro dislokační smyčky. Symetrie naměřených map reciprokého prostoru určují typ dislokačních smyček a z radiálního řezu mapou můžeme určit jejich poloměr a koncentraci. Tyto výsledky jsme porovnaly s výsledky infračervené absorpční spektroskopie.
Links
| MSM 143100002, plan (intention) |
|