BRANDEJSOVÁ, Eva, Jan ČECHAL, Olga BONAVENTUROVÁ ZRZAVECKÁ, Alois NEBOJSA, Petr TICHOPÁDEK, Michal URBÁNEK, Karel NAVRÁTIL, Tomáš ŠIKOLA and Josef HUMLÍČEK. In situ analysis of PMPSi thin films by spectroscopic ellipsometry. Jemná mechanika a optika. Přerov: Physical Institute, ASCR, 2004, 9/2004, No 9, p. 260-262. ISSN 0447-6441.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name In situ analysis of PMPSi thin films by spectroscopic ellipsometry
Name in Czech In situ analýza tenkých vrstev PMPSi metodou spektroskopické elipsometrie
Authors BRANDEJSOVÁ, Eva (203 Czech Republic), Jan ČECHAL (203 Czech Republic), Olga BONAVENTUROVÁ ZRZAVECKÁ (203 Czech Republic), Alois NEBOJSA (203 Czech Republic), Petr TICHOPÁDEK (203 Czech Republic), Michal URBÁNEK (203 Czech Republic), Karel NAVRÁTIL (203 Czech Republic), Tomáš ŠIKOLA (203 Czech Republic) and Josef HUMLÍČEK (203 Czech Republic, guarantor).
Edition Jemná mechanika a optika, Přerov, Physical Institute, ASCR, 2004, 0447-6441.
Other information
Original language English
Type of outcome Article in a journal
Field of Study 10302 Condensed matter physics
Country of publisher Czech Republic
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
RIV identification code RIV/00216224:14310/04:00010983
Organization unit Faculty of Science
Keywords in English spectroscopic ellipsometry; poly(methyl-phenylsilane)
Tags poly(methyl-phenylsilane), spectroscopic ellipsometry
Changed by Changed by: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc., učo 307. Changed: 9/2/2007 14:26.
Abstract
In the paper in situ monitoring of the UV-light-and thermal treatment of PMPSi thin films by real time spectroscopic ellipsometry and additional ex situ measurements are reported. In the in situ experiments the films were treated both under ultrahigh vacuum and oxygen atmosphere. The results of this study indicate systematic shift of the imaginary part of a complex dielectric function depending on the degree of treatment.
Abstract (in Czech)
V článku jsou prezentovány výsledky elipsometrických měření tenkých vrstev poly(methyl-phenylsilanu) ve spektrálním oboru (3,4 - 4,8 eV). Měření byla pořízena během působení UV záření a zvýšené teploty v ultravakuové komoře s možností připouštění kyslíku. V závislosti na typu a intenzitě působení dochází k systematickému posunu a změně tvaru spektra komplexní dielektrické funkce.
Links
MSM 262100002, plan (intention)Name: Progresivní funkčně gradientní a nanostrukturní materiály
PrintDisplayed: 4/8/2024 04:12