2005
X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
KLANG, Pavel, Václav HOLÝ, Josef KUBĚNA, Richard ŠTOUDEK, Jan ŠIK et. al.Basic information
Original name
X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
Name in Czech
Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem leogovaných křemíkových deskaách připravených Czochralského metodou
Authors
KLANG, Pavel (203 Czech Republic, guarantor), Václav HOLÝ (203 Czech Republic), Josef KUBĚNA (203 Czech Republic), Richard ŠTOUDEK (203 Czech Republic) and Jan ŠIK (203 Czech Republic)
Edition
J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2005, 0022-3727
Other information
Language
English
Type of outcome
Article in a journal
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland
Confidentiality degree
is not subject to a state or trade secret
Impact factor
Impact factor: 1.957
RIV identification code
RIV/00216224:14310/05:00013724
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000230243500021
Keywords in English
X-ray; diffuse scattering; defects; nitrogen; silicon
Tags
Changed: 13/3/2006 17:54, Mgr. Pavel Klang, Ph.D.
V originále
We have studied nitrogen-doped silicon wafers from origin, middle and end of the ingot, annealed at low and high temperatures, using triple-axis high-resolution X-ray diffraction. The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space maps determines the type of dislocation loops and from cross sections we can obtain the radius and concentration of the loops. These parameters were combined with the results from selective etching and infrared absorption spectroscopy method.
In Czech
Studovali jsme dusíkem dopované křemíkové desky ze začátku, středu a konce ingotu, žíhané na nízké a vysoké teplotě. Použili jsme trojosý rentgenový difraktometr s vysokým rozlišením. Rozložení intensity v reciprokém prostoru od shluků vakancí, vrstevných chyb a dislokačních smyček jsme modelovali použitím Krivoglazovy teorie a kontinualní model deformačního pole defektu. Dobrá shoda teorie s experimentálními daty nastává pro model dislokačních smyček. Typ dislokačních smyček lze určit ze symetrie naměřených map reciprokého prostoru a z rezu techto map můžeme určit poloměr a koncentraci smyček. Tyto parametry bylo doplněny výsledky ze selektivního leptání a infračervené absorpční spektroskopie.
Links
| MSM 143100002, plan (intention) |
| ||
| MSM0021622410, plan (intention) |
|