D 2005

Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas

ŠMÍD, Radek, Lenka ZAJÍČKOVÁ and Vilma BURŠÍKOVÁ

Basic information

Original name

Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas

Name in Czech

Aktinometrie pro porozumění plazmochemické depozice tenkých vrstev z O2/HMDSO plazmatu

Authors

ŠMÍD, Radek (203 Czech Republic, guarantor), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Czech Republic) and Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic)

Edition

1. vyd. Eindhoven, Nizozemí, Proceedings of the XXVII ICPIG, p. 297-300, 2005

Publisher

Eindhoven University of Technology, Nizozemí

Other information

Language

English

Type of outcome

Stať ve sborníku

Field of Study

10305 Fluids and plasma physics

Country of publisher

Netherlands

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

References:

RIV identification code

RIV/00216224:14310/05:00014212

Organization unit

Faculty of Science

ISBN

90-386-2231-7

Keywords in English

actinometry; HMDSO; optical emission spectroscopy

Tags

International impact
Změněno: 9/1/2008 11:11, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.

Abstract

V originále

We applied actinometry for the calculation of dissociation degree in oxygen CCP discharges used for the deposition from O2/HMDSO plasmas. Dissociation degree exhibited a slight increase with increasing r.f. power and maximum of 20% for 5 Pa of oxygen. This relatively high value was not enough for deposition of SiO2-like films because the HMDSO percentage in the feed was too high at this low oxygen partial pressure. Rapid decrease of dissociation degree to 2-4% for higher oxygen flow rates, i.e. higher pressures resulted in still insufficient oxidation of film precursors.

In Czech

Použili jsme aktinometrii pro odhad disociačního koeficientu kyslíku v kapacitně vázaných výbojích používaných při depozicích z 02/HMDSO. Disociační stupeň v čistém kyslíku rostl s rostoucím výkonem a vykazoval maximum 20% při tlaku 5 Pa. Přesto tento disociační stupeň nebyl dostatečně vysoký, aby bylo možné vytvářet vrstvy podobné SiO2, protože při 5 Pa bylo stále ještě velké množství HMDSO ve směsi. Pokles disociačního stupně na 2-4% při vyšších průtocích kyslíku, tedy i tlacích, měl za následek nedostatečnou oxidaci vrstev rostoucích ze směsi obsahující větší procento 02.

Links

MSM0021622411, plan (intention)
Name: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Study and application of plasma chemical reactions in non-isothermic low temperature plasma and its interaction with solid surface
1K05025, research and development project
Name: Příprava nových Si-O(N)-C materiálů plazmochemickou metodou
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Synthesis of new Si-O(N)-C materials by plasmachemical methods