Detailed Information on Publication Record
2005
Infrared Response of Heavily Doped p-type Si and SiGe Alloys from Ellipsometric Measurements
HUMLÍČEK, Josef and Vlastimil KŘÁPEKBasic information
Original name
Infrared Response of Heavily Doped p-type Si and SiGe Alloys from Ellipsometric Measurements
Name in Czech
Infračervená odezva silně legovaného p-typu Si a slitin SiGe z elipsometrických měření
Authors
HUMLÍČEK, Josef (203 Czech Republic, guarantor) and Vlastimil KŘÁPEK (203 Czech Republic)
Edition
USA, CP772, Physics of Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, p. 113-114, 2 pp. 2005
Publisher
American Institute of Physics
Other information
Language
English
Type of outcome
Proceedings paper
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United States of America
Confidentiality degree
is not subject to a state or trade secret
RIV identification code
RIV/00216224:14310/05:00014387
Organization unit
Faculty of Science
ISBN
0-7354-0257--4
UT WoS
000230723900033
Keywords in English
silico-germanium alloys; infrared ellipsometry
Changed: 1/2/2006 12:41, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
V originále
We report here ellipsometric spectra of Si and SiGe alloys heavily doped with boron. In the mid-infrared range, the response can be separated into the contributions of free-hole plasma and direct intervalence transitions. The first contribution extrapolates correctly to the zero-frequency resistance, the second is in a good agreement with the 8-band k.p calculation.
In Czech
Elipsometrická spektra Si a slitin SiGe silně legovaných bórem. Ve střední infračervené oblasti lze v optické odezvě oddělit příspěvky plasmatu volných děr a přímých mezipásových přechodů. První z obou příspěvků dává správnou extrapolaci stejnosměrného odporu, druhý je v dobré shodě s osmipásovou k.p aproximací.
Links
| MSM0021622410, plan (intention) |
|