NOVÁK, Jiří, Václav HOLÝ, Julian STANGL, Thomas FROMHERZ, Zhong ZHENYANG, Chen GANG, Günther BAUER a Bernd STRUTH. Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction. Online. Journal of Applied Physics. USA: American institute of physics, 2005, roč. 98, č. 7, s. 073517-73525. ISSN 0021-8979. [citováno 2024-04-23]
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction
Název česky Studium třídimnzionálního krystalu Ge/Si ostrůvků RTG difrakcí
Autoři NOVÁK, Jiří (203 Česká republika, garant), Václav HOLÝ (203 Česká republika), Julian STANGL (40 Rakousko), Thomas FROMHERZ (40 Rakousko), Zhong ZHENYANG (156 Čína), Chen GANG (156 Čína), Günther BAUER (40 Rakousko) a Bernd STRUTH (276 Německo)
Vydání Journal of Applied Physics, USA, American institute of physics, 2005, 0021-8979.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 2.498
Kód RIV RIV/00216224:14310/05:00014559
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000232558200023
Klíčová slova anglicky ASSEMBLED GE ISLANDS; QUANTUM DOTS; STRAIN; NANOSTRUCTURES; STACKING; X-RAY DIFFRACTION
Štítky ASSEMBLED GE ISLANDS, NANOSTRUCTURES, quantum dots, stacking, STRAIN, X-ray diffraction
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 12. 2. 2007 14:17.
Anotace
An analysis of coplanar high-angle x-ray-diffraction data was performed and structural information on buried Ge islands forming a 3D island crystal was obtained. We have demonstrated that the combination of an analytical solution of the equilibrium equations of linear elasticity with kinematical scattering theory can be used to simulate the experimental x-ray-diffraction data. The strain state in the buried islands and their surrounding Si matrix was determined. The Ge content in the islands is found to be on the average 40%, and the island shape does not change dramatically during capping.
Anotace česky
V článku je prezentována analýza experimentálních dat z měření na tří dimenzionálním krystalu Ge/Si(001) ostrůvků ve vysokoúhlé RTG difrakci. Prokázali jsme, že kombinace analytického řešení rovnic rovnováhy lineární elasticity a teorie kinematického rozptylu mohou být úspěšně použity k simulaci dat z RTG difrakce. Byly získány strukturní vlastnosti Ge ostrůvků, deformace krystalografické mřížky v ostrůvcích a okolní Si matici. Ukázalo se, že po zarostení do Si matice klesla koncentrace Ge v ostrůvcích na 40%, jejich tvar se však výrazně nezměnil.
Návaznosti
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 23. 4. 2024 21:11