Detailed Information on Publication Record
2005
Atomic force microscopy analysis of morphology of the upper boundaries of GaN thin films prepared by MOCVD
KLAPETEK, Petr, Ivan OHLÍDAL, Alberto MONTAIGNE RAMIL, Alberta BONNANNI, Helmut SITTER et. al.Basic information
Original name
Atomic force
microscopy analysis of morphology of the upper boundaries of GaN thin films
prepared by MOCVD
Name in Czech
Analýza morfologie horních rozhraní vrstev GaN připravených pomocí MOCVD s
využitím mikroskopie atomové síly
Authors
KLAPETEK, Petr (203 Czech Republic), Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic, guarantor), Alberto MONTAIGNE RAMIL (192 Cuba), Alberta BONNANNI (380 Italy) and Helmut SITTER (40 Austria)
Edition
Vacuum, USA, ELSEVIER (PERGAMON), 2005, 0042-207X
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impact factor
Impact factor: 0.909
RIV identification code
RIV/00216224:14310/05:00015079
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000232674400010
Keywords in English
Roughness; AFM; GaN films
Změněno: 28/2/2006 17:44, prof. RNDr. Ivan Ohlídal, DrSc.
V originále
In this paper the results of the atomic force microscopy analysis of the upper boundaries of the GaN nucleation and buffer films prepared by MOCVD are presented. It is shown that the upper boundaries of nucleation films exhibit morphology identical with statistical roughness. The values of the basic statistical roughness quantities, i.e. the RMS values of the heights and the autocorrelation length values, of these boundaries are determined in dependences on time and temperature of their annealing. These RMS values decrease with increasing values of both technological parameters. It is also found that the corresponding power spectral density functions of the upper boundaries of these films satisfy the Gaussian function very well. Furthermore, it is shown that the GaN buffer films created onto the selected nucleation film have the upper boundaries whose morphology is different from the typical statistical surface roughness. Both RMS values and autocorrelation length values decrease with increasing buffer film thickness and the power spectral density function of these films is rather different from the Gaussian function. It is shown that a correlation between the upper boundaries of the buffer films and the nucleation films is relatively weak. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
In Czech
V tomto článku jsou uvedeny výsledky týkající se analýzy horních rozhraní nukleačních a "buffer" vrstev GaN připravených pomocí MOCVD. Je ukázáno, že horní rozhraní nukleačních vrstev vykazují morfologii identickou se statistickou drsností. Hodnoty základních statistických veličin drsnosti, tj. standardní odchylky výšek a autokorelační vzdálenosti těchto rozhraní, jsou určeny v závislosti na čase a teplotě jejich zahřívání. Tyto standardní odchylky klesají s rostoucími hodnotami obou technologických parametrů. Je také nalezeno, že odpovídající spektrální hustoty prostorových frekvencí horních rozhraní těchto vrstev vyhovují velmi dobře Gaussově funkci. Dále je ukázáno, že GaN "buffer" vrstvy vytvořené na vybrané nukleační vrstvě mají morfologii horních rozhraní, která je rozdílná od typické statistické povrchové drsnosti. Standardní odchylky a autokorelační délky klesají s rostoucí tloušťkou "buffer" vrstvy a spektrální hustota prostorových frekvencí těchto vrstev je dosti odlišná od Gaussovy funkce. Je ukázáno, že korelace mezi horními rozhraními "buffer" vrstev a nukleačních vrstev je relativně slabá.
Links
| MSM 143100003, plan (intention) |
|