Detailed Information on Publication Record
2006
Infrared spectroscopy of oxygen interstitials and precipitates in nitrogen-doped silicon
ŠTOUDEK, Richard and Josef HUMLÍČEKBasic information
Original name
Infrared spectroscopy of oxygen interstitials and precipitates in nitrogen-doped silicon
Name in Czech
Infračervená spektroskopie kyslíkových intersticiálů a precipitátů v dusíkem legovaném křemíku
Authors
ŠTOUDEK, Richard (203 Czech Republic) and Josef HUMLÍČEK (203 Czech Republic, guarantor)
Edition
Physica B condensed matter, Amsterdam, Elsevier Science, 2006, 0921-4526
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
Netherlands
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
Impact factor
Impact factor: 0.872
RIV identification code
RIV/00216224:14310/06:00016777
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000237329500037
Keywords in English
Silicon; Interstitial oxygen; Precipitate; Nitrogen doping
Tags
International impact, Reviewed
Změněno: 9/2/2007 13:35, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
V originále
We have used infrared absorption to study interstitial oxygen and oxygen precipitates in a series of nitrogen-doped silicon (Si:N) samples. Transmittance spectra have been measured in the temperature range from 10 to 300 K. This allowed us to separate reliably the contributions of interstitial oxygen (Oi) and oxygen precipitates, obtained in the single-step (16 h at 1050C) and two-step (4 h at 750C, followed by 16 h at 1050C) heat treatment. In the data analysis, we focus on the amount of oxygen available initially in the unannealed material, and its redistribution following the two thermal treatments. The absorption spectra of the precipitates are analysed using effective-medium models; we have used infrared ellipsometric spectra of amorphous silicon dioxide, optimized for the range of weak absorption at high frequencies, and their modifications for different stoichiometries. The resulting concentration of Oi and the oxygen atoms in the precipitates is found to depend rather significantly on the nitrogen doping.
In Czech
Ke studiu intersticiálního kyslíku a kyslíkových precipitátů v sadě dusíkem legovaných křemíkových (Si:N) vzorků jsme použili infračervenou absorpci. Byla změřena spektra propustnosti v rozsahu teplot od 10 do 300 K. To nám dovolilo spolehlivě oddělit příspěvky intersticiálního kyslíku (Oi) a kyslíkových precipitátů, získaných v jednostupňovém (16 h na 1050C) a dvoustupňovém (4 h na 750C, následně 16 h na 1050C) žíhání. Při analýze dat jsme se soustředili na původní množství kyslíku v nežíhaném materiálu a na jeho přerozdělení po dvou žíháních. Absorpční spektra precipitátů byla analyzována pomocí modelu efektivního prostředí; použili jsme infračervená elipsometrická spektra amorfního oxidu křemíku, optimalizovaná pro oblast slabé absorpce na vysokých frekvencích, a jejich přizpůsobení pro různé stechiometrie. Byla nalezena dost významná závislost výsledné koncentrace Oi a kyslíkových atomů v precipitátech na legování dusíkem.
Links
| MSM0021622410, plan (intention) |
|