D 2004

PtSi formation on silicon substrate

BOCHNÍČEK, Zdeněk

Basic information

Original name

PtSi formation on silicon substrate

Name in Czech

Silicidace platiny na Si substrátu

Authors

BOCHNÍČEK, Zdeněk (203 Czech Republic, guarantor)

Edition

Budapest, Hungary, 22nd European Crystallographic Meeting, Abstracts, p. 279-279, 2004

Publisher

ECM 22

Other information

Language

English

Type of outcome

Stať ve sborníku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

Hungary

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

RIV identification code

RIV/00216224:14310/04:00021655

Organization unit

Faculty of Science

ISBN

9639319406

Keywords in English

PtSi; silicide; x-ray diffraction;

Tags

Změněno: 28/4/2006 09:57, doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr.

Abstract

ORIG CZ

V originále

Silicidation of Pt layer deposited on Silicon substrate has been studied by in-situ x-ray diffraction. From the kinetics of Pt2Si and PtSi formation using Kissinger analysis the activation energies has been calculated. It has bee found that silicidation is strongly influenced by the presence of nitrogen in annealing ambient.

In Czech

Silicidace platiny na Si substrátu byla sledována metodou rtg difrakce při žíhání in-situ. Z kinetiky vzniku vrstev Pt2Si a PtSi byly za použití Kissingerovy analýzy určeny aktivační energie obou transformací. Bylo ukázáno, že silicidace je silně závislá na přítomnosti dusíku v atmosféře při žíhání.

Links

MSM 143100002, plan (intention)
Name: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical properties of new materials and layered structures