D 2006

Nucleation and Precipitation of Interstitial Oxygen in Czochralski Silicon

ŠTOUDEK, Richard, Pavel KLANG, Alan KUBĚNA and Josef KUBĚNA

Basic information

Original name

Nucleation and Precipitation of Interstitial Oxygen in Czochralski Silicon

Name in Czech

Nukleace a precipitace intersticiálního kyslíku v Czochralského křemíku

Authors

ŠTOUDEK, Richard (203 Czech Republic, guarantor), Pavel KLANG (203 Czech Republic), Alan KUBĚNA (203 Czech Republic) and Josef KUBĚNA (203 Czech Republic)

Edition

Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika, Proceedings of The Tenth Scientific and Business Conference SILICON 2006, p. 283-284, 2 pp. 2006

Publisher

TECON Scientific, s.r.o.

Other information

Language

English

Type of outcome

Stať ve sborníku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

Czech Republic

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

RIV identification code

RIV/00216224:14310/06:00017572

Organization unit

Faculty of Science

ISBN

80-239-7781-4

Keywords in English

Nucleation; Precipitation; Interstitial oxygen; Silicon; Infrared absorption
Změněno: 14/11/2006 14:36, Mgr. Richard Štoudek, Ph.D.

Abstract

V originále

Infrared absorption spectroscopy has been applied to study interstitial oxygen (Oi) and oxygen precipitates in a series of multi-step annealed silicon samples. We have adopted Ham's theory of diffusion-limited precipitation. Then we have been able to determine concentration of the oxygen precipitates in the samples from decrease of Oi concentration during the high temperature annealing. We have also used triple-axis high-resolution x-ray diffraction to measure reciprocal space maps of these samples.

In Czech

Ke studiu intersticiálního kyslíku a kyslíkových precipitátů v sérii vícestupňově žíhaných křemíkových vzorků jsme použili infračervenou absorpční spektroskopii. Převzali jsme Hamovu teorii difúzí řízené precipitace. Potom jsme mohli z úbytku koncentrace Oi během vysokoteplotního žíhání stanovit koncentraci kyslíkových precipitátů ve vzorcích. Pro naměření map reciprokého prostoru těchto vzorků jsme použili trojosou rtg difrakci s vysokým rozlišením.

Links

MSM0021622410, plan (intention)
Name: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical and chemical properties of advanced materials and structures