Detailed Information on Publication Record
2006
Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
JAŠEK, Ondřej, Monika KARÁSKOVÁ, Vilma BURŠÍKOVÁ, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Daniel FRANTA et. al.Basic information
Original name
Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
Name in Czech
Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
Name (in English)
Nanocrystalline diamond films deposition by PECVD in ASTEX type microwave reactor
Authors
JAŠEK, Ondřej (203 Czech Republic, guarantor), Monika KARÁSKOVÁ (203 Czech Republic), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Czech Republic), Daniel FRANTA (203 Czech Republic), Zdeněk FRGALA (203 Czech Republic), Jiřina MATĚJKOVÁ (203 Czech Republic), Antonín REK (203 Czech Republic), Petr KLAPETEK (203 Czech Republic) and Jiří BURŠÍK (203 Czech Republic)
Edition
1. vyd. Brno, Moderní trendy ve fyzice plazmatu a pevných látek II, p. 133-138, 6 pp. 2006
Publisher
Masarykova univerzita
Other information
Language
Czech
Type of outcome
Stať ve sborníku
Field of Study
10305 Fluids and plasma physics
Country of publisher
Czech Republic
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
RIV identification code
RIV/00216224:14310/06:00016135
Organization unit
Faculty of Science
ISBN
80-210-4195-1
Keywords in English
nanocrystalline diamond;PECVD; microwave discharge
Změněno: 2/1/2007 09:30, doc. RNDr. Vilma Buršíková, Ph.D.
V originále
Nanokrystalické diamantové (NCD) vrstvy byly připraveny depozicí z plynné fáze (CVD) za nízkého tlaku v mikrovlnném plazmatu generovaném v reaktou typu ASTEX. Vrstvy byly připraveny na křemíkových substrátech s orientací (111) ze směsi metanu (9 %) a vodíku při teplotě substrátu 1090 K. Dodávaný mikrovlnný výkon (2,45 GHz) byl 850 W a pracovní tlak činil 7,5 kPa. Pro účel nukleace byl substrát vystaven vysokofrekvenčnímu výboji, který vytvářel samopředpětí -125 V. Připravené vrstvy vykazovaly velmi malou drsnost (kvadratická odchylka výšek 9,1 nm) a tvrdost a elastický modul dosahovaly hodnot 70 a 375 GPa. Optické konstanty byly určeny pomocí elipsometrie a měření reflexe a vyhodnoceny na základě Rayleigh-Riceovi teorie a disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty stavů. Depoziční rychlost byla 57 nm/min a to včetně 5 minutové nukleační fáze.
In English
Nanocrystalline diamond film was deposited by microwave CVD in the ASTeX type reactor on a mirror polished (111) oriented n-doped silicon substrate. The deposition mixture consisted of 9 % of methane in hydrogen. The applied microwave power (2.45 GHz)and pressure were 850 W and 7.5 kPa, respectively. The substrate temperature was 1 090 K. The diamond nucleation process was enhanced by rf induced dc self{bias of i125 V. The film exhibited very low roughness (rms of heights 9.1 nm). Its hardness and elastic modules were 70 and 375 GPa, respectively. The optical constants were determined by combination of spectroscopic ellipsometry and reflectometry employing the Rayleigh-Rice theory for the roughness and the dispersion model of optical constants based on the parameterization of densities of states. The deposition rate was 57 nm/min including the 5 min nucleation step.
Links
| GA106/05/0274, research and development project |
| ||
| GA202/05/0607, research and development project |
| ||
| MSM0021622411, plan (intention) |
| ||
| MSM4977751303, plan (intention) |
|