Detailed Information on Publication Record
2006
Deposition of thin films at higher substrate temperatures in atmospheric pressure glow discharge
TRUNEC, David, Martin ŠÍRA, Pavel SŤAHEL, Vilma BURŠÍKOVÁ, Daniel FRANTA et. al.Basic information
Original name
Deposition of thin films at higher substrate temperatures in atmospheric pressure glow discharge
Name in Czech
Depozice tenkých vrstev za vysších teplot substrátu v atmosférickém doutnavém výboji
Authors
TRUNEC, David (203 Czech Republic, guarantor), Martin ŠÍRA (203 Czech Republic), Pavel SŤAHEL (203 Czech Republic), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic) and Daniel FRANTA (203 Czech Republic)
Edition
Saga, Japan, 10th International Symposium on High Pressure Low Temperature Plasma Chemistry, p. 331-334, 4 pp. 2006
Publisher
Saga University
Other information
Language
English
Type of outcome
Stať ve sborníku
Field of Study
10305 Fluids and plasma physics
Country of publisher
Japan
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
RIV identification code
RIV/00216224:14310/06:00016224
Organization unit
Faculty of Science
Keywords in English
thin films; glow discharge; atmospheric pressure
Tags
International impact
Změněno: 4/1/2007 12:06, Mgr. Martin Šíra, Ph.D.
V originále
The atmospheric pressure glow discharge was used for the deposition of thin organosilicon polymer films. The plasma was burning in pure nitrogen used as a carrier gas and a small admixture of organosilicons compounds such as hexamethyldisilazane (HMDSN) or hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used as a monomer. The temperature of the substrate was elevated up to 120 degrees of Celsia to obtain harder thin films. The homogeneity of thin films was enhanced using movable upper electrode. Electrical measurements were used to distinguish between glow and filamentary regime. Mechanical properties of deposited films were characterised by depth sensing indentation technique. The films were polymer-like, transparent in visible range, with uniform thickness and without pinholes.
In Czech
Byly nadeponovány tenké organosilikonové vrstvy v atmosférickém doutnavém výboji. Plasma bylo zapáleno v dusíku s malou příměsí monomeru hexametyldisiloxanu (HMDSO). Aby byly dosaženy vyšší tvrdosri tenkých vrstev, byla teplota substrátu zvýšena až na 120 stupňů celsia. Homogenita tenkých vrstev byla zvýšena použitím pohyblivé horní elektrody. Pomocí měření elektrických veličin bylo ukázáno použití doutnavého režimu. Mechanické vlastnosti tenkých vrstev byly určeny indentačními technikami. Vrstvy byly transparentní ve viditelné oblasti spektra.
Links
| GA202/06/1473, research and development project |
|