HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED
MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Günther BAUER, Claudiu FALUB a Detlev GRÜTZMACHER. HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED. In XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 2005. 2005. |
Další formáty:
BibTeX
LaTeX
RIS
|
Základní údaje | |
---|---|
Originální název | HIGH TEMPERATURE INVESTIGATION OF SiGe/Si-BASED CASCADE EMITTERS IN THE FAR-INFRARED |
Název česky | Vysokotepltní studie SiGe-Si kaskádových emitorů v daleké infračervené oblasti |
Autoři | MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Jiří NOVÁK (203 Česká republika), Günther BAUER (40 Rakousko), Claudiu FALUB (642 Rumunsko) a Detlev GRÜTZMACHER (276 Německo). |
Vydání | XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 2005, 2005. |
Další údaje | |
---|---|
Originální jazyk | angličtina |
Typ výsledku | Konferenční abstrakt |
Obor | 10302 Condensed matter physics |
Stát vydavatele | Polsko |
Utajení | není předmětem státního či obchodního tajemství |
Kód RIV | RIV/00216224:14310/05:00020143 |
Organizační jednotka | Přírodovědecká fakulta |
Klíčová slova anglicky | diffraction; diffusion; x-ray reflectivity |
Štítky | diffraction, Diffusion, x-ray reflectivity |
Příznaky | Mezinárodní význam |
Změnil | Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 25. 3. 2010 13:14. |
Anotace |
---|
We have investigated annealing behavior of strain compensated Si/SiGe MQW structures with different multilayer periods, grown by molecular beam epitaxy on Si0.75Ge0.25 pseudo-substrates. |
Anotace česky |
---|
Studovali jsme chování deformačně kompenzovaných multivrstevnatých struktur Si/SiGe při žíhání s rozdílnými periodami multivrstvy, vypěstované molakulární svazkovou epitaxí na Si0.75Ge0.25 pseudo-substrátech. |
Návaznosti | |
---|---|
GP202/05/P286, projekt VaV | Název: Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu |
Investor: Grantová agentura ČR, Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu | |
MSM0021622410, záměr | Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur |
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur |
VytisknoutZobrazeno: 28. 9. 2024 07:57