J 2005

High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures

MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Claudiu FALUB, Günther BAUER, Detlev GRÜTZMACHER et. al.

Basic information

Original name

High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures

Name in Czech

Vysokotepltní studie SiGe-Si kaskádových emitorů v daleké infračervené oblasti

Authors

MEDUŇA, Mojmír (203 Czech Republic, guarantor), Jiří NOVÁK (203 Czech Republic), Claudiu FALUB (642 Romania), Günther BAUER (40 Austria) and Detlev GRÜTZMACHER (276 Germany)

Edition

Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, Praha, 2005, 1211-5894

Other information

Language

English

Type of outcome

Článek v odborném periodiku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

Czech Republic

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

RIV identification code

RIV/00216224:14310/05:00020144

Organization unit

Faculty of Science

Keywords in English

interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity

Tags

International impact
Změněno: 24/1/2007 14:40, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Abstract

V originále

From the temporal evolution of x-ray reflectivity data at high temperature, we obtained an evolution of Si-SiGe interfaces induced by diffusion. The results of our experiment demonstrate that the critical temperature for Ge inter-diffusion process in Si0.7Ge0.3 and Si0.2Ge0.8 depends not only on Ge content but also on the thickness of the individual layers.

In Czech

Z časového vývoje dat rtg reflexe při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že kritická teplota pro interdifuzní proces Ge v Si0.7Ge0.3 a Si0.2Ge0.8 závisí nejen na obsahu Ge, ale také na tloušťce jednotlivých vrstev.

Links

GP202/05/P286, research and development project
Name: Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
Investor: Czech Science Foundation, Investigation of morphology of semiconductor multilayers using x-ray scattering
MSM0021622410, plan (intention)
Name: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical and chemical properties of advanced materials and structures