Detailed Information on Publication Record
2005
High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures
MEDUŇA, Mojmír, Jiří NOVÁK, Claudiu FALUB, Günther BAUER, Detlev GRÜTZMACHER et. al.Basic information
Original name
High Temperature in-situ Investigation of Si/SiGe Multilayers and Cascade Structures
Name in Czech
Vysokotepltní studie SiGe-Si kaskádových emitorů v daleké infračervené oblasti
Authors
MEDUŇA, Mojmír (203 Czech Republic, guarantor), Jiří NOVÁK (203 Czech Republic), Claudiu FALUB (642 Romania), Günther BAUER (40 Austria) and Detlev GRÜTZMACHER (276 Germany)
Edition
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, Praha, 2005, 1211-5894
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
Czech Republic
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
RIV identification code
RIV/00216224:14310/05:00020144
Organization unit
Faculty of Science
Keywords in English
interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity
Tags
International impact
Změněno: 24/1/2007 14:40, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
From the temporal evolution of x-ray reflectivity data at high temperature, we obtained an evolution of Si-SiGe interfaces induced by diffusion. The results of our experiment demonstrate that the critical temperature for Ge inter-diffusion process in Si0.7Ge0.3 and Si0.2Ge0.8 depends not only on Ge content but also on the thickness of the individual layers.
In Czech
Z časového vývoje dat rtg reflexe při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že kritická teplota pro interdifuzní proces Ge v Si0.7Ge0.3 a Si0.2Ge0.8 závisí nejen na obsahu Ge, ale také na tloušťce jednotlivých vrstev.
Links
| GP202/05/P286, research and development project |
| ||
| MSM0021622410, plan (intention) |
|