J 2010

Deposition of hard thin films from HMDSO in atmospheric pressure dielectric barrier discharge

TRUNEC, David, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Vilma BURŠÍKOVÁ, Filip STUDNIČKA, Pavel SŤAHEL et. al.

Basic information

Original name

Deposition of hard thin films from HMDSO in atmospheric pressure dielectric barrier discharge

Name in Czech

Depozice tvrdých tenkých vrstev z HMDSO v dielektrickém bariérovém výboji za atmosférického tlaku

Authors

TRUNEC, David (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Czech Republic, belonging to the institution), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic, belonging to the institution), Filip STUDNIČKA (203 Czech Republic, belonging to the institution), Pavel SŤAHEL (203 Czech Republic, belonging to the institution), Vadym PRYSIAZHNYI (804 Ukraine, belonging to the institution), Vratislav PEŘINA (203 Czech Republic), Jana HOUDKOVÁ (203 Czech Republic), Zdeněk NAVRÁTIL (203 Czech Republic, belonging to the institution) and Daniel FRANTA (203 Czech Republic, belonging to the institution)

Edition

Journal of Physics D: Applied Physics, Bristol, England, IOP Publishing Ltd. 2010, 0022-3727

Other information

Language

English

Type of outcome

Článek v odborném periodiku

Field of Study

10305 Fluids and plasma physics

Country of publisher

United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

References:

Impact factor

Impact factor: 2.109

RIV identification code

RIV/00216224:14310/10:00043949

Organization unit

Faculty of Science

UT WoS

000277871500011

Keywords (in Czech)

depozice tenkých vrstev; výboj za atmosférického tlaku

Keywords in English

thin film deposition; atmospheric pressure discharge

Tags

International impact, Reviewed
Změněno: 27/3/2013 09:10, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.

Abstract

ORIG CZ

V originále

An atmospheric pressure dielectric barrier discharge burning in nitrogen with a small admixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used for the deposition of thin organosilicon films. The thin films were deposited on glass, silicon and polycarbonate substrates, and the substrate temperature during the deposition process was increased up to values within the range 25 - 150 C in order to obtain hard SiOx-like thin films.

In Czech

Dielektrický bariérový výboj hořící za atmosférického tlaku v dusíku s příměsí hexametyldisiloxanu byl použit pro depozici tenkých organosilikonových vrstev. Tenké vrstvy byly deponovány na skleněných, křemíkových a polykarbonátových substrátech a teplota substrátu byla v průběhu depozičního procesu zvýšena na hodnoty v rozmezí 25 - 150 C za účelem získání tvrdých SiOx podobných vrstev-

Links

MSM0021622411, plan (intention)
Name: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Study and application of plasma chemical reactions in non-isothermic low temperature plasma and its interaction with solid surface