Mapping of the local density of states with very slow electrons in SEM

POKORNÁ, Zuzana and Luděk FRANK. Mapping of the local density of states with very slow electrons in SEM. Berlin: Springer Verlag, 2008, 2 pp. ISBN 978-3-540-85154-7.

Basic information

Original name

Mapping of the local density of states with very slow electrons in SEM

Name in Czech

Mapování lokální hustoty stavů pomocí velmi pomalých elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu

Authors

POKORNÁ, Zuzana and Luděk FRANK

Edition

Berlin, 2 pp. 2008

Publisher

Springer Verlag

---

Other information

Language

English

Type of outcome

Stať ve sborníku

Field of Study

20201 Electrical and electronic engineering

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

Organization unit

Faculty of Science

ISBN

978-3-540-85154-7

Keywords in English

density of states; SEM; very low energy electron microscopy

---

Abstract

V originále

The penetration of very low energy electrons (30 eV and less) into a specimen is proportional to its local density of states. This can be used for the mapping of dopants in semiconductors or of different crystal orientations in a polycrystalline sample. The experimental results for polycrystalline aluminium are presented.

In Czech

Průnik elektronů o nízké energii (30 eV a méně) do vzorku je úměrný jeho lokální hustotě stavů. To může být využito pro mapování dopantů v polovodičích nebo odlišných krystalografických orientací v polykrystalickém vzorku. Jsou představeny experimentální výsledky pro polykrystalický hliník.

---

Links

AV0Z20650511, plan (intention)

Name: Rozvoj experimentálních metod studia fyzikálních vlastností hmoty a jejich aplikací v pokročilých technologiích