POKORNÁ, Zuzana and Luděk FRANK. Mapping of the local density of states with very slow electrons in SEM. Berlin: Springer Verlag, 2008, 2 pp. ISBN 978-3-540-85154-7.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name Mapping of the local density of states with very slow electrons in SEM
Name in Czech Mapování lokální hustoty stavů pomocí velmi pomalých elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu
Authors POKORNÁ, Zuzana and Luděk FRANK.
Edition Berlin, 2 pp. 2008.
Publisher Springer Verlag
Other information
Original language English
Type of outcome Proceedings paper
Field of Study 20201 Electrical and electronic engineering
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
Organization unit Faculty of Science
ISBN 978-3-540-85154-7
Keywords in English density of states; SEM; very low energy electron microscopy
Changed by Changed by: Mgr. Zuzana Pokorná, Ph.D., učo 21014. Changed: 2/8/2010 14:55.
Abstract
The penetration of very low energy electrons (30 eV and less) into a specimen is proportional to its local density of states. This can be used for the mapping of dopants in semiconductors or of different crystal orientations in a polycrystalline sample. The experimental results for polycrystalline aluminium are presented.
Abstract (in Czech)
Průnik elektronů o nízké energii (30 eV a méně) do vzorku je úměrný jeho lokální hustotě stavů. To může být využito pro mapování dopantů v polovodičích nebo odlišných krystalografických orientací v polykrystalickém vzorku. Jsou představeny experimentální výsledky pro polykrystalický hliník.
Links
AV0Z20650511, plan (intention)Name: Rozvoj experimentálních metod studia fyzikálních vlastností hmoty a jejich aplikací v pokročilých technologiích
PrintDisplayed: 4/10/2024 20:24