Detailed Information on Publication Record
2010
Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature Pre-annealing
MEDUŇA, Mojmír, Ondřej CAHA, Josef KUBĚNA, Alan KUBĚNA, Milan SVOBODA et. al.Basic information
Original name
Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature Pre-annealing
Name in Czech
Precipitace kyslíku v CZ Si deskách po vysokoteplotním předžíhání
Authors
MEDUŇA, Mojmír (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Ondřej CAHA (203 Czech Republic, belonging to the institution), Josef KUBĚNA (203 Czech Republic, belonging to the institution), Alan KUBĚNA (203 Czech Republic, belonging to the institution), Milan SVOBODA (203 Czech Republic) and Jiří BURŠÍK (203 Czech Republic)
Edition
SILICON 2010, 2010
Other information
Language
English
Type of outcome
Konferenční abstrakt
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
Czech Republic
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
RIV identification code
RIV/00216224:14310/10:00046555
Organization unit
Faculty of Science
ISBN
978-80-254-7361-0
Keywords in English
oxygen precipitžation; si wafers
Změněno: 19/1/2012 18:33, RNDr. Jiří Buršík, DSc.
V originále
In this work we study two stage and three stage annealing processes with application of Tabula rasa. The evolution of precipitates at various phases during annealing process for various temperatures was obtained from series of experimental techniques.
In Czech
V této práci studujeme dvou a třístupňové žíhací procesy s aplikaci Tabula rasa. Vývoj precipitace v různých fázích během žíhacích procesů pro různé teploty byly získány různými experimentálními technikami.
Links
| GA202/09/1013, research and development project |
| ||
| MSM0021622410, plan (intention) |
|