SLÁDEK, Petr, Vilma BURŠÍKOVÁ and Pavel SŤAHEL. Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev (Role of hydrogen on structural changes in SiGe:H films). In M.Můčková. Sborník příspěvků 5. České fotovoltaické konference. Brno: Czech RE Agency, o.p.s., 2011, p. 50-54. ISBN 978-80-254-8906-2.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev
Name (in English) Role of hydrogen on structural changes in SiGe:H films
Authors SLÁDEK, Petr (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic, belonging to the institution) and Pavel SŤAHEL (203 Czech Republic, belonging to the institution).
Edition Brno, Sborník příspěvků 5. České fotovoltaické konference, p. 50-54, 5 pp. 2011.
Publisher Czech RE Agency, o.p.s.
Other information
Original language Czech
Type of outcome Proceedings paper
Field of Study 10305 Fluids and plasma physics
Country of publisher Czech Republic
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
Publication form printed version "print"
RIV identification code RIV/00216224:14410/11:00049408
Organization unit Faculty of Education
ISBN 978-80-254-8906-2
Keywords (in Czech) vodík; tenké vrstvy; SiGe
Keywords in English hydrogen; thin films; SiGe
Changed by Changed by: doc. RNDr. Vilma Buršíková, Ph.D., učo 2418. Changed: 26/3/2013 09:05.
Abstract
Příspěvek je zaměřen na studium vlivu role vodíku na vlastnosti tenkých vrstev SiGe:H. Pro zjištění optoelektronických vlastností vrstev byly použity metody IČ, PDS, CPM, a dynamická intendační metoda pro stanovení mechanických vlastností. Navíc byly vzorky podrobeny měření termální desorpce vodíku. Výsledky ukazují na různé zabudování vodíku se změnami depozičních podmínek.
Abstract (in English)
The paper focuses on studying the impact of the role of hydrogen on the properties of thin layers of SiGe: H. To determine the optoelectronic properties of films we used IR, PDS, CPM and intendation dynamic method for determining the mechanical properties. In addition, samples were subjected to measurements of the thermal desorption of hydrogen. The results indicate a different incorporation of hydrogen in films with variation of the deposition conditions.
Links
KAN311610701, research and development projectName: Nanometrologie využívající metod rastrovací sondové mikroskopie
Investor: Academy of Sciences of the Czech Republic
PrintDisplayed: 31/8/2024 06:27