PLUMHOF, Johannes David, Vlastimil KŘÁPEK, Fei DING, K. D. JOENS, R. HAFENBRAK, Petr KLENOVSKÝ, A. HERKLOTZ, K. DORR, P. MICHLER, Armando RASTELLI a Oliver G. SCHMIDT. Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots. Physical Review B. USA: American Physical Society, 2011, roč. 83, č. 12, s. "nestrankovano", 4 s. ISSN 1098-0121. doi:10.1103/PhysRevB.83.121302.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
Autoři PLUMHOF, Johannes David (276 Německo), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika, garant, domácí), Fei DING (156 Čína), K. D. JOENS (276 Německo), R. HAFENBRAK (276 Německo), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, domácí), A. HERKLOTZ (276 Německo), K. DORR (276 Německo), P. MICHLER (276 Německo), Armando RASTELLI (380 Itálie) a Oliver G. SCHMIDT (276 Německo).
Vydání Physical Review B, USA, American Physical Society, 2011, 1098-0121.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 3.691
Kód RIV RIV/00216224:14310/11:00049737
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.121302
UT WoS 000288160300001
Klíčová slova anglicky ENTANGLED PHOTON PAIRS; SEMICONDUCTOR; SPIN
Štítky AKR, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Změněno: 7. 4. 2012 13:21.
Anotace
We study the effect of elastic anisotropic biaxial strain, induced by a piezoelectric actuator, on the light emitted by neutral excitons confined in different kinds of epitaxial quantum dots. We find that the light polarization rotates by up to similar to 80 degrees and the fine structure splitting (FSS) varies nonmonotonically by several tens of mu eV as the strain is varied. These findings provide the experimental proof of a recently predicted strain-induced anticrossing of the bright states of neutral excitons in quantum dots. Calculations on model dots qualitatively reproduce the observations and suggest that the minimum reachable FSS critically depends on the orientation of the strain axis relative to the dot elongation.
Návaznosti
GA202/09/0676, projekt VaVNázev: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
Investor: Grantová agentura ČR, Standardní projekty
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Výzkumné záměry
MUNI/A/1047/2009, interní kód MUNázev: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů
Investor: Masarykova univerzita, Grantová agentura MU, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
VytisknoutZobrazeno: 2. 8. 2021 15:38