Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

CAHA, Ondřej, Silvie BERNATOVÁ, Mojmír MEDUŇA, Milan SVOBODA and Jiří BURŠÍK. Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques. physica status solidi (a), Applied research. Wiley-Blackwell, 2011, vol. 208, No 11, p. 2587-2590. ISSN 1862-6300. Available from: https://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263.

Basic information

• Original name: Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques
• Name in Czech: Studium oxidových precipitátů v křemíku pomocí rtg difrakce
• Authors: CAHA, Ondřej (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Silvie BERNATOVÁ (203 Czech Republic, belonging to the institution), Mojmír MEDUŇA (203 Czech Republic, belonging to the institution), Milan SVOBODA (203 Czech Republic) and Jiří BURŠÍK (203 Czech Republic).
• Edition: physica status solidi (a), Applied research, Wiley-Blackwell, 2011, 1862-6300.

Other information

• Original language: English
• Type of outcome: Article in a journal
• Field of Study: 10302 Condensed matter physics
• Country of publisher: United States of America
• Confidentiality degree: is not subject to a state or trade secret
• Impact factor: Impact factor: 1.463
• RIV identification code: RIV/00216224:14740/11:00050295
• Organization unit: Central European Institute of Technology
• Doi: http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263
• UT WoS: 000297514200018
• Keywords (in Czech): Czochralského křemík; difúzní rozptyl; defekty
• Keywords in English: CZOCHRALSKI-GROWN SILICON; DIFFUSE-SCATTERING; DEFECTS
• Tags: ok
• Tags: International impact, Reviewed

Abstract

The results of a study of oxide precipitates in Czochralski (CZ) grown silicon using two X-ray diffraction methods are reported. The diffuse scattering around the Bragg diffraction maxima was measured on a series of samples after various two-stage annealing treatment. Combining the analysis of diffuse scattering with other experimental techniques we were able to determine mean precipitate size and deformation field around the precipitates. The obtained data show that the deformation field is proportional to the precipitate volume and independent on the annealing temperature or annealing time. The dynamical diffraction in Laue geometry was used to measure precipitate concentration. The results are compared to the selective etching concentration measurement.

Abstract (in Czech)

Publikovány jsou výsledky studia oxidových precipitátů s použitím dvou metod rtg difrakce. Byl měřen difúzní rozptyl kolem Braggových difrakčních maxim série vzorků připravených různým dvoustupňovým žíháním. Bylo určeno deformační pole kolem precipitátů. Dále byla použita dynamická difrakce v Laueho uspořádání pro měření koncentrace defektů. Výsledky byly porovnány s měřením leptových důlků.

Links

• CZ.1.05/1.1.00/02.0068, interní kód MU: Name: CEITEC - středoevropský technologický institut (Acronym: CEITEC)

Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, CEITEC - Central European Institute of Technology, 1.1 European Centres of Excellence

• ED1.1.00/02.0068, research and development project: Name: CEITEC - central european institute of technology
• GA202/09/1013, research and development project: Name: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku

Investor: Czech Science Foundation, Nucleation and growth of oxygen precipitates in silicon

• GP202/09/P410, research and development project: Name: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

Investor: Czech Science Foundation, Strain engineering in diluted magnetic semiconductors

• MSM0021622410, plan (intention): Name: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical and chemical properties of advanced materials and structures

• MUNI/A/1047/2009, interní kód MU: Name: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Investor: Masaryk University, Category A