J 2011

Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

CAHA, Ondřej, Silvie BERNATOVÁ, Mojmír MEDUŇA, Milan SVOBODA, Jiří BURŠÍK et. al.

Basic information

Original name

Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

Name in Czech

Studium oxidových precipitátů v křemíku pomocí rtg difrakce

Authors

CAHA, Ondřej (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Silvie BERNATOVÁ (203 Czech Republic, belonging to the institution), Mojmír MEDUŇA (203 Czech Republic, belonging to the institution), Milan SVOBODA (203 Czech Republic) and Jiří BURŠÍK (203 Czech Republic)

Edition

physica status solidi (a), Applied research, Wiley-Blackwell, 2011, 1862-6300

Other information

Language

English

Type of outcome

Článek v odborném periodiku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

United States of America

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impact factor

Impact factor: 1.463

RIV identification code

RIV/00216224:14740/11:00050295

Organization unit

Central European Institute of Technology

DOI

UT WoS

000297514200018

Keywords (in Czech)

Czochralského křemík; difúzní rozptyl; defekty

Keywords in English

CZOCHRALSKI-GROWN SILICON; DIFFUSE-SCATTERING; DEFECTS

Tags

Tags

International impact, Reviewed
Změněno: 4/4/2014 17:16, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Abstract

ORIG CZ

V originále

The results of a study of oxide precipitates in Czochralski (CZ) grown silicon using two X-ray diffraction methods are reported. The diffuse scattering around the Bragg diffraction maxima was measured on a series of samples after various two-stage annealing treatment. Combining the analysis of diffuse scattering with other experimental techniques we were able to determine mean precipitate size and deformation field around the precipitates. The obtained data show that the deformation field is proportional to the precipitate volume and independent on the annealing temperature or annealing time. The dynamical diffraction in Laue geometry was used to measure precipitate concentration. The results are compared to the selective etching concentration measurement.

In Czech

Publikovány jsou výsledky studia oxidových precipitátů s použitím dvou metod rtg difrakce. Byl měřen difúzní rozptyl kolem Braggových difrakčních maxim série vzorků připravených různým dvoustupňovým žíháním. Bylo určeno deformační pole kolem precipitátů. Dále byla použita dynamická difrakce v Laueho uspořádání pro měření koncentrace defektů. Výsledky byly porovnány s měřením leptových důlků.

Links

CZ.1.05/1.1.00/02.0068, interní kód MU
Name: CEITEC - středoevropský technologický institut (Acronym: CEITEC)
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, CEITEC - Central European Institute of Technology, 1.1 European Centres of Excellence
ED1.1.00/02.0068, research and development project
Name: CEITEC - central european institute of technology
GA202/09/1013, research and development project
Name: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku
Investor: Czech Science Foundation, Nucleation and growth of oxygen precipitates in silicon
GP202/09/P410, research and development project
Name: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
Investor: Czech Science Foundation, Strain engineering in diluted magnetic semiconductors
MSM0021622410, plan (intention)
Name: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical and chemical properties of advanced materials and structures
MUNI/A/1047/2009, interní kód MU
Name: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů
Investor: Masaryk University, Category A