D 2011

ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS

HUMLÍČEK, Josef, Petr KLENOVSKÝ a Dominik MUNZAR

Základní údaje

Originální název

ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS

Autoři

HUMLÍČEK, Josef (203 Česká republika, garant, domácí), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, domácí) a Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí)

Vydání

SLEZSKA, 3rd International Conference on NANOCON, od s. 39-44, 6 s. 2011

Nakladatel

TANGER LTD

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Forma vydání

paměťový nosič (CD, DVD, flash disk)

Kód RIV

RIV/00216224:14740/11:00057585

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

ISBN

978-80-87294-27-7

UT WoS

000306686700005

Klíčová slova anglicky

quantum dots; GaAs; InAs; GaAsSb

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 16. 4. 2013 09:47, Olga Křížová

Anotace

V originále

The electronic structure of InAs quantum dots (QD) self assembled on GaAs and covered with the GaAs(1-y) Sb(y) strain reducing layer displays several interesting features, depending on the geometry and the composition of the ternary material. The basic motivation is the possible lowering of the emission energy towards the prominent communication bands of 1.3 and 1.55 microns. Using the envelope function theory, we investigate the localization of electrons and holes. The most remarkable finding is the localization of holes outside InAs, close to the base of the dot, for larger value of the Sb content. Thus, typeII molecular-like states are formed as the results of the strain and piezoelectric fields. The parameters of the ternary layer play a crucial role in forming the properties of the QD structures; some of them cannot be easily obtained by X-ray techniques. For this reason, we explore the possibility of efficient characterization of the very thin ternary layers in the QD heterostructures using VIS-UV reflectance spectra, and compare the results with those obtained by using X-rays.

Návaznosti

GA202/09/0676, projekt VaV
Název: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
Investor: Grantová agentura ČR, Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách
MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur