Masarykova univerzita

Výpis publikací

česky | in English

Filtrování publikací

    2008

    1. An amateur video camera as a detector of infrared radiation
      BOCHNÍČEK, Zdeněk. An amateur video camera as a detector of infrared radiation. Physics Education. Bristol, United Kingdom: IOP Publishing, 2008, roč. 43, č. 1, s. 51-56. ISSN 0031-9120.
      URL
      Název česky: Amatérská videokamera jako detektor infračerveného záření
      RIV/00216224:14310/08:00033124 Článek v odborném periodiku. Pedagogika a školství. angličtina. Velká Británie a Severní Irsko.
      Bochníček, Zdeněk (203 Česká republika, garant, domácí)
      Klíčová slova anglicky: silicon; CCD; infrared radiation;
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnil: doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr., učo 438. Změněno: 11. 4. 2014 16:49.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/752979/cs
    2. Kinetics of oxygen, vacancies and self-interstitials in silicon wafers
      CAHA, Ondřej, Josef KUBĚNA, Alan KUBĚNA a Mojmír MEDUŇA. Kinetics of oxygen, vacancies and self-interstitials in silicon wafers. In Silicon 2008 - 11th Scientific and Business Conference. Rožnov p. Radhoštěm: TECON Scientific, s.r.o., 2008, s. 351--351. ISBN 978-80-254-3278-5.
      Název česky: Kinetika kyslíku, vakancí a vlastních intersticiálů v křemíkových deskách
      Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Klíčová slova anglicky: silicon; precipitation
      Druh sborníku: předkonferenční sborník
      Změnil: doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414. Změněno: 11. 2. 2009 13:31.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/819669/cs
    3. Oxygen precipitation during two-stage annealing of Cz-Si
      MEDUŇA, Mojmír, Ondřej CAHA, Josef KUBĚNA a Alan KUBĚNA. Oxygen precipitation during two-stage annealing of Cz-Si. In Silicon 2008 - 11th Scientific and Business Conference. Rožnov p. Radhoštěm: TECON Scientific, s.r.o., 2008, s. 353. ISBN 978-80-254-3278-5.
      Název česky: Precipitace kyslíku během dvoustupňového žíhání Cz-Si
      Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Klíčová slova anglicky: silicon; precipitation
      Druh sborníku: předkonferenční sborník
      Změnil: doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414. Změněno: 11. 2. 2009 13:31.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/819673/cs
    4. Study of oxygen precipitates in silicon using Bragg and Laue x-ray diffraction
      CAHA, Ondřej, Josef KUBĚNA, Alan KUBĚNA, Mojmír MEDUŇA a Petr MIKULÍK. Study of oxygen precipitates in silicon using Bragg and Laue x-ray diffraction. In XTOP 2008 - 9th biennial conference on high-resolution x-ray diffraction and imaging. 2008.
      Název česky: Studium kyslíkových precipitátů v křemíku pomocí Braggovy a Laueho rtg difrakce
      RIV/00216224:14310/08:00027771 Konferenční abstrakt. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Rakousko.
      Caha, Ondřej (203 Česká republika, garant) -- Kuběna, Josef (203 Česká republika) -- Kuběna, Alan (203 Česká republika) -- Meduňa, Mojmír (203 Česká republika) -- Mikulík, Petr (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: silicon; precipitation; x-ray diffraction
      Druh sborníku: předkonferenční sborník
      Změnil: doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414. Změněno: 9. 4. 2010 14:55.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/819683/cs
    5. Study of oxygen precipitates in silicon using x-ray diffraction techniques
      CAHA, Ondřej. Study of oxygen precipitates in silicon using x-ray diffraction techniques. In Silicon 2008 - 11th Scientific and Business Conference. 2008. ISBN 978-80-254-3278-5.
      Název česky: Studium kyslíkové precipitace pomocí rtg difrakce
      RIV/00216224:14310/08:00027768 Konferenční abstrakt. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Caha, Ondřej (203 Česká republika, garant)
      Klíčová slova anglicky: silicon; precipitation
      Druh sborníku: předkonferenční sborník
      Změnil: doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414. Změněno: 9. 4. 2010 14:56.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/819670/cs
    6. Study of thermal stability of Silicon, Oxygen and/or Nitrogen containing Diamon-like Carbon coatings
      BURSIKOVA, Vilma, Pavel STAHEL, Jaroslav SOBOTA, Jan GROSSMAN, Tomas FORT, Zdenek BOCHNICEK, Petr KLAPETEK, Jiri BURSIK a Vratislav PERINA. Study of thermal stability of Silicon, Oxygen and/or Nitrogen containing Diamon-like Carbon coatings. In 2nd conference on New Diamond and Nano Carbons 2008. 2008.
      Název česky: Study of thermal stability of Silicon, Oxygen and/or Nitrogen containing Diamon-like Carbon coatings
      Název anglicky: Study of thermal stability of Silicon, Oxygen and/or Nitrogen containing Diamon-like Carbon coatings
      Fyzika plasmatu a výboje v plynech. angličtina. Tchaj-wan.
      Klíčová slova anglicky: Study; thermal stability; Silicon; Oxygen; Nitrogen; Diamon-like Carbon coatings
      Mezinárodní význam: ano
      Změnil: Mgr. Adrian Stoica, Ph.D., učo 250983. Změněno: 13. 1. 2009 14:39.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/808465/cs

    2007

    1. Development of oxide precipitates in silicon: calculation of the distribution function of the classical theory of nucleation by a nodal-points approximation
      KUBĚNA, Josef, Alan KUBĚNA, Ondřej CAHA a Petr MIKULÍK. Development of oxide precipitates in silicon: calculation of the distribution function of the classical theory of nucleation by a nodal-points approximation. J. Phys. Condens. Matter. IOP Publishing Ltd, 2007, roč. 19, č. 49, s. 496202-496212. ISSN 0953-8984.
      URL
      Název česky: Vývoj oxidových precipitátů v křemíku: výpočet distribuce klasickou teorií nukleace metodou uzlových bodů
      RIV/00216224:14310/07:00019496 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Velká Británie a Severní Irsko.
      Kuběna, Josef (203 Česká republika) -- Kuběna, Alan (203 Česká republika) -- Caha, Ondřej (203 Česká republika, garant) -- Mikulík, Petr (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: silicon; theory of nucleation; cluster distribution; oxygen precipitation; annealing
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnil: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855. Změněno: 10. 7. 2009 10:24.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/727771/cs
    2. Si-containing Laves phases
      HOUSEROVÁ, Jana. Si-containing Laves phases. In Pracovní setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků /7./. 1. vyd. Brno: Masarykova univerzita, 2007, s. 65-66. ISBN 978-80-21042353.
      Název česky: Lavesovy fáze obsahující křemík
      RIV/00216224:14310/07:00019363 Stať ve sborníku. Fyzikální chemie a teoretická chemie. angličtina. Česká republika.
      Houserová, Jana (203 Česká republika, garant)
      Klíčová slova anglicky: ab initio;Laves phase;silicon
      Změnil: Mgr. Petr Bureš, učo 40751. Změněno: 17. 7. 2008 11:55.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/711235/cs
    3. Study of Mechanical Properties of Metallic Surface Layers on Silicon Substrates
      DUŠEK, Jiří, Vilma BURŠÍKOVÁ, Jaroslav SOBOTA, Jiří BURŠÍK, Olga BLÁHOVÁ, Petr KLAPETEK, Rodica VLADOIU a Vladislav NAVRÁTIL. Study of Mechanical Properties of Metallic Surface Layers on Silicon Substrates. In NANO 07. 2007. ISBN 978-80-214-3460-8.
      Název česky: Studium mechanických vlastností kovových vrstev na křemíkovém substrátu
      Název anglicky: Study of Mechanical Properties of Metallic Surface Layers on Silicon Substrates
      Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Klíčová slova anglicky: metal;layer;silicon;mechanical properties
      Druh účasti: aktivní účast
      Mezinárodní význam: ano
      Změnil: prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc., učo 129. Změněno: 30. 6. 2008 12:43.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/755294/cs

    2006

    1. Influence of Silicon, Oxygen and Nitrogen Upon the Properties of Plasma Deposited Amorphous Diamond-like Carbon Coatings
      BURŠÍKOVÁ, Vilma, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Pavel DVOŘÁK, Miroslav VALTR, Jiří BURŠÍK, Olga BLÁHOVÁ, Vratislav PEŘINA a Jan JANČA. Influence of Silicon, Oxygen and Nitrogen Upon the Properties of Plasma Deposited Amorphous Diamond-like Carbon Coatings. Journal of advanced oxidation technologies. Dundas, Ontario, Canada: Science & Technology Network, Inc., 2006, roč. 9, č. 2, s. 232-237, 5 s. ISSN 1203-8407.
      Název česky: Vliv příměsí křemíku, kyslíku a dusíku na vlastnosti amorfních diamantu podobných uhlíkových vrstev deponovaných v plazmatu
      Název anglicky: Influence of Silicon, Oxygen and Nitrogen Upon the Properties of Plasma Deposited Amorphous Diamond-like Carbon Coatings
      RIV/00216224:14310/06:00017368 Článek v odborném periodiku. Fyzika plasmatu a výboje v plynech. angličtina. Kanada.
      Buršíková, Vilma (203 Česká republika, garant) -- Zajíčková, Lenka (203 Česká republika) -- Dvořák, Pavel (203 Česká republika) -- Valtr, Miroslav (203 Česká republika) -- Buršík, Jiří (203 Česká republika) -- Bláhová, Olga (203 Česká republika) -- Peřina, Vratislav (203 Česká republika) -- Janča, Jan (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: Silicon; Oxygen; Nitrogen; Admixtures; PECVD; Amorphous Diamond-like Carbon Coatings
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnil: Mgr. Miroslav Valtr, Ph.D., učo 13715. Změněno: 4. 7. 2009 17:59.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/699203/cs
    2. Infrared spectroscopy of oxygen interstitials and precipitates in nitrogen-doped silicon
      ŠTOUDEK, Richard a Josef HUMLÍČEK. Infrared spectroscopy of oxygen interstitials and precipitates in nitrogen-doped silicon. Physica B condensed matter. Amsterdam: Elsevier Science, 2006, roč. 376-377, č. 6, s. 150-153. ISSN 0921-4526.
      URL
      Název česky: Infračervená spektroskopie kyslíkových intersticiálů a precipitátů v dusíkem legovaném křemíku
      RIV/00216224:14310/06:00016777 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Nizozemské království.
      Štoudek, Richard (203 Česká republika) -- Humlíček, Josef (203 Česká republika, garant)
      Klíčová slova anglicky: Silicon; Interstitial oxygen; Precipitate; Nitrogen doping
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnil: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc., učo 307. Změněno: 9. 2. 2007 13:35.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/634006/cs
    3. Mechanical properties of thin silicon films deposited on glass and plastic substrates studied by depth sensing indentation technique
      BURŠÍKOVÁ, Vilma, Petr SLÁDEK, Pavel SŤAHEL a Jiří BURŠÍK. Mechanical properties of thin silicon films deposited on glass and plastic substrates studied by depth sensing indentation technique. Journal of Non-Crystalline Solids. Nizozemsko: Elsevier Science B.V., 2006, roč. 352, 9-20, s. 1242-1245. ISSN 0022-3093.
      Název česky: Studium mechanických vlastností tenkých křemíkových vrstev deponovaných na skleněné a plastové podložky instrumentovanou indentační technikou
      Název anglicky: Mechanical properties of thin silicon films deposited on glass and plastic substrates studied by depth sensing indentation technique
      RIV/00216224:14310/06:00015920 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Nizozemské království.
      Buršíková, Vilma (203 Česká republika, garant, domácí) -- Sládek, Petr (203 Česká republika, domácí) -- Sťahel, Pavel (203 Česká republika, domácí) -- Buršík, Jiří (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: amorphous semiconductors; silicon; mechanical properties; creep; hardness; intendation; microintendation;ELASTIC-MODULUS; COATED SYSTEMS
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnila: Dana Nesnídalová, učo 831. Změněno: 3. 2. 2020 15:27.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/699212/cs
    4. Nucleation and Precipitation of Interstitial Oxygen in Czochralski Silicon
      ŠTOUDEK, Richard, Pavel KLANG, Alan KUBĚNA a Josef KUBĚNA. Nucleation and Precipitation of Interstitial Oxygen in Czochralski Silicon. In Proceedings of The Tenth Scientific and Business Conference SILICON 2006. Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika: TECON Scientific, s.r.o., 2006, s. 283-284. ISBN 80-239-7781-4.
      Název česky: Nukleace a precipitace intersticiálního kyslíku v Czochralského křemíku
      RIV/00216224:14310/06:00017572 Stať ve sborníku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Štoudek, Richard (203 Česká republika, garant) -- Klang, Pavel (203 Česká republika) -- Kuběna, Alan (203 Česká republika) -- Kuběna, Josef (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: Nucleation; Precipitation; Interstitial oxygen; Silicon; Infrared absorption
      Změnil: Mgr. Richard Štoudek, Ph.D., učo 11284. Změněno: 14. 11. 2006 14:36.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/701562/cs

    2005

    1. X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
      KLANG, Pavel, Václav HOLÝ, Josef KUBĚNA, Richard ŠTOUDEK a Jan ŠIK. X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers. J. Phys. D: Appl. Phys. Velká Britanie: IOP Publishing Ltd, 2005, roč. 2005, č. 38, s. A105-A110, 6 s. ISSN 0022-3727.
      Název česky: Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem leogovaných křemíkových deskaách připravených Czochralského metodou
      RIV/00216224:14310/05:00013724 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Velká Británie a Severní Irsko.
      Klang, Pavel (203 Česká republika, garant) -- Holý, Václav (203 Česká republika) -- Kuběna, Josef (203 Česká republika) -- Štoudek, Richard (203 Česká republika) -- Šik, Jan (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: X-ray; diffuse scattering; defects; nitrogen; silicon
      Změnil: Mgr. Pavel Klang, Ph.D., učo 12230. Změněno: 13. 3. 2006 17:54.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/571023/cs

    2004

    1. Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Czochralski Silicon
      ŠTOUDEK, Richard a Josef HUMLÍČEK. Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Czochralski Silicon. In WDS'04 Proceedings of Contributed Papers. Praha, Česká republika: MATFYZPRESS, 2004, s. 475-479, 4 s. ISBN 80-86732-32-0.
      Název česky: Infračervená absorpční spektroskopie kyslíkových precipitátů v Czochralského křemíku
      RIV/00216224:14310/04:00010936 Stať ve sborníku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Štoudek, Richard (203 Česká republika, garant) -- Humlíček, Josef (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: Infrared; Silicon; Oxygen; Precipitates
      Změnil: Mgr. Richard Štoudek, Ph.D., učo 11284. Změněno: 10. 2. 2005 13:43.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/566412/cs
    2. Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon
      ŠTOUDEK, Richard, Michal LORENC a Josef HUMLÍČEK. Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon. In Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004. Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika: TECON Scientific, s.r.o., 2004, s. 146-150.
      Název česky: Infračervená absorpční spektroskopie kyslíkových precipitátů v dusíkem legovaném Czochralského křemíku
      RIV/00216224:14310/04:00010940 Stať ve sborníku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Štoudek, Richard (203 Česká republika, garant) -- Lorenc, Michal (203 Česká republika) -- Humlíček, Josef (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: Infrared; Silicon; Oxygen; Precipitates; Nitrogen doping
      Změnil: Mgr. Richard Štoudek, Ph.D., učo 11284. Změněno: 10. 2. 2005 13:44.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/566428/cs
    3. Project of a clean room laboratory for silicon device technology at the Masaryk University
      MIKULÍK, Petr. Project of a clean room laboratory for silicon device technology at the Masaryk University. In Proceedings of International Conference Silicon-2004. Rožnov pod Radhoštěm: Karel Vojtěchovský, 2004, s. 54-55.
      Název česky: Projekt laboratoře čistých prostor pro křemíkovou technologii čipů na Masarykově univerzitě
      RIV/00216224:14310/04:00010943 Stať ve sborníku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Mikulík, Petr (203 Česká republika, garant)
      Klíčová slova anglicky: clean room; silicon; chip
      Změnil: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855. Změněno: 10. 2. 2005 14:46.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/566485/cs
    4. X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers
      KLANG, Pavel, Václav HOLÝ, Richard ŠTOUDEK a Jan ŠIK. X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers. In Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004. 2004. vyd. Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika: TECON Scientific, s.r.o., 2004, s. 53.
      Název česky: Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou
      RIV/00216224:14310/04:00010934 Stať ve sborníku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Klang, Pavel (203 Česká republika, garant) -- Holý, Václav (203 Česká republika) -- Štoudek, Richard (203 Česká republika) -- Šik, Jan (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: X-ray; Diffuse Scattering; Defect; Silicon; Nitrogen doping
      Změnil: Mgr. Pavel Klang, Ph.D., učo 12230. Změněno: 17. 3. 2006 12:58.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/566408/cs

    2003

    1. Optical properties of diamond-like carbon films containing SiOx
      FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Vilma BURŠÍKOVÁ a Lenka ZAJÍČKOVÁ. Optical properties of diamond-like carbon films containing SiOx. Diamond and Related Materials. Amsterdam: Elsevier, 2003, roč. 12, č. 9, s. 1532-1538. ISSN 0925-9635.
      URL
      RIV/00216224:14310/03:00008251 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Nizozemské království.
      Franta, Daniel (203 Česká republika, garant) -- Ohlídal, Ivan (203 Česká republika) -- Buršíková, Vilma (203 Česká republika) -- Zajíčková, Lenka (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: Ellipsometry; Density of States; Diamond-like carbon; Silicon
      Mezinárodní význam: ano
      Recenzováno: ano
      Změnila: doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D., učo 1414. Změněno: 17. 7. 2007 17:57.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/489708/cs

    2002

    1. Advanced X-ray diffraction imaging techniques for semiconductor wafer characterisation
      MIKULÍK, Petr, T. BAUMBACH, D. KORYTÁR, P. PERNOT, D. LÜBBERT, L. HELFEN a Ch. LANDESBERGER. Advanced X-ray diffraction imaging techniques for semiconductor wafer characterisation. Materials Structure. Praha: The Czech and Slovak Cryst. Assoc., 2002, roč. 9, č. 2, s. 87-88. ISSN 1211-5894.
      URL
      RIV/00216224:14310/02:00007825 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Mikulík, Petr (203 Česká republika, garant) -- Baumbach, T. (276 Německo) -- Korytár, D. (703 Slovensko) -- Pernot, P. (203 Česká republika) -- Lübbert, D. (276 Německo) -- Helfen, L. (276 Německo) -- Landesberger, Ch. (276 Německo)
      Klíčová slova anglicky: wafers; defects; x-ray scattering; diffraction; imaging; silicon; GaAs
      Mezinárodní význam: ano
      Změnil: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D., učo 855. Změněno: 12. 2. 2007 18:38.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/486967/cs
    2. Nitrogen in Czochralski-grown silicon
      ŠIK, Jan, Michal LORENC a Richard ŠTOUDEK. Nitrogen in Czochralski-grown silicon. In SILICON 2002, Rožnov pod Radhostěm, TECON Scientific, editor K. Vojtěchovský. Neuveden: Neuveden, 2002, s. 125-128.
      Název anglicky: Nitrogen in Czochralski-grown silicon
      RIV/00216224:14310/02:00008873 Stať ve sborníku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Česká republika.
      Šik, Jan (203 Česká republika) -- Lorenc, Michal (203 Česká republika) -- Štoudek, Richard (203 Česká republika, garant)
      Klíčová slova anglicky: silicon; nitrogen
      Změnil: Mgr. Richard Štoudek, Ph.D., učo 11284. Změněno: 27. 5. 2004 17:29.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/488314/cs

    2001

    1. Optical characterization of nonabsorbing and weakly absorbing thin films with the wavelengths related to extrema in spectral reflectances
      OHLÍDAL, Ivan, Daniel FRANTA, Miloslav OHLÍDAL a Karel NAVRÁTIL. Optical characterization of nonabsorbing and weakly absorbing thin films with the wavelengths related to extrema in spectral reflectances. Applied Optics. USA: Optical Society of America, 2001, roč. 40, č. 31, s. 5711-5717. ISSN 0003-6935.
      URL
      RIV/00216224:14310/01:00004763 Článek v odborném periodiku. Optika, masery a lasery. angličtina. Spojené státy.
      Ohlídal, Ivan (203 Česká republika, garant) -- Franta, Daniel (203 Česká republika) -- Ohlídal, Miloslav (203 Česká republika) -- Navrátil, Karel (203 Česká republika)
      Klíčová slova anglicky: REFLECTION; CONSTANTS; THICKNESS; SILICON; SYSTEM
      Změnil: Mgr. Daniel Franta, Ph.D., učo 2000. Změněno: 25. 12. 2003 00:46.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/378151/cs

    1999

    1. Fotovoltaická konverze - solární články vyrobené z křemíku
      SŤAHEL, Pavel, Petr SLÁDEK a Pere ROCA I CABARROCAS. Fotovoltaická konverze - solární články vyrobené z křemíku. In Fyzika, životní prostředí, energie a škola. 1. vyd. Brno: Masarykova univerzita Brno, 1999.
      Název anglicky: Photovoltaic conversion - silicon solar cells
      Fyzika pevných látek a magnetismus. čeština. Česká republika.
      Klíčová slova anglicky: solar cells; silicon; photovoltaic conversion
      Změnil: doc. RNDr. Petr Sládek, CSc., učo 1617. Změněno: 28. 2. 2001 16:10.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/228913/cs

    1998

    1. Optical functions of silicon at high temperatures
      ŠIK, Jan, Jaroslav HORA a Josef HUMLÍČEK. Optical functions of silicon at high temperatures. Journal of Applied Physics. USA: American institute of physics, 1998, roč. 1998, č. 11, s. 6291-6298. ISSN 0021-8979.
      Název anglicky: Optical functions of silicon at high temperatures
      RIV/00216224:14310/98:00000755 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Spojené státy.
      Klíčová slova anglicky: silicon
      Změnil: prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc., učo 307. Změněno: 10. 1. 2000 15:40.
      Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/200272/cs
Zobrazeno: 8. 9. 2024 23:08