Výpis publikací

2010

1. Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

   KLENOVSKÝ, Petr, Vlastimil KŘÁPEK, Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK. Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties. Applied Physics Letters. USA: American institute of physics, 2010, roč. 97, č. 203107, 3 s. ISSN 0003-6951.

   URL

   Název česky: Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties
   RIV/00216224:14310/10:00045413 Článek v odborném periodiku. Fyzika pevných látek a magnetismus. angličtina. Spojené státy.
   Klenovský, Petr (203 Česká republika, domácí) -- Křápek, Vlastimil (203 Česká republika) -- Munzar, Dominik (203 Česká republika, domácí) -- Humlíček, Josef (203 Česká republika, garant, domácí)
   Klíčová slova anglicky: band structure; gallium arsenide; gallium compounds; III-V semiconductors; indium compounds; k.p calculations; photoluminescence; red shift; semiconductor quantum dots
   Mezinárodní význam: ano
   Recenzováno: ano
   Změnil: prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr., učo 673. Změněno: 26. 1. 2011 13:20.

   Podrobněji: https://is.muni.cz/publication/908032/cs