Detailed Information on Publication Record
2006
X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon
KLANG, Pavel and Václav HOLÝBasic information
Original name
X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon
Name in Czech
Rtg difúzní rozptyl od vrstevných chyb v CZ Si
Authors
KLANG, Pavel (203 Czech Republic, guarantor) and Václav HOLÝ (203 Czech Republic)
Edition
Semicond. Sci. Technol. Velká Britanie, IOP Publishing Ltd, 2006, 0268-1242
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impact factor
Impact factor: 1.586
RIV identification code
RIV/00216224:14310/06:00016658
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000236590100027
Keywords in English
High resolution X-ray diffraction; Defects; Czochralski method; Semiconducting silicon
Změněno: 2/3/2006 08:53, Mgr. Pavel Klang, Ph.D.
V originále
High resolution x-ray diffraction has been used to measure the reciprocal space maps of intensity distribution from the scattering on defects in silicon wafers after annealing processes. The displacement field around stacking faults and dislocation loops has been calculated using the Burgers theory of elasticity. From these calculations a reciprocal space map of x-ray diffuse scattered intensity has been simulated. The type and size of the defects can be determined from a comparison of measured with simulated maps. The type of defects has been determined from the symmetry of measured reciprocal space maps, where higher intensity streaks corresponding to planar defects in {1 1 1} planes have been observed. Using the width of these higher intensity streaks and comparing measured and simulated maps, the radius of stacking faults with the Burgers vector a/3[1 1 1] in {1 1 1} planes was found to be 0.3-0.5 micrometers.
In Czech
Pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením byly v reciprokém prostoru naměřeny mapy rozložení rozptylu na defektech v Si deskách po žíhání. K výpočtu pole výchylek v okolí vrstevných chyb a dislokačních smyček byla použita Burgersova teorie elasticity. Díky těmto výpočtům byly provedeny simulace intenzity rtg difúzního rozptylu. Porovnáním naměřených a nasimulových map lze určit velikost a typ defektu. Typ defektu byl určen ze symetrie naměřených map, ve kterých byly pozorovány proužky s vyšší intenzitou odpovídající rovinným defektům v rovinách (1 1 1). Díky šířce těchto proužků a porovnáním měření a simulaci jsme určili poloměr vrstevných chyb s Burgerovým vektorem a/3[1 1 1] v rovinách {1 1 1} v rozmezí 0,3-0,5 mikrometrů.
Links
MSM0021622410, plan (intention) |
|