Elementární křemík (b. t. 1420 °C, b. v. 3280 °C, ρ = 2,33 g.cm-3) je modrošedá, lesklá, dosti tvrdá (7 v Mohsově stupnici) a křehká krystalická látka, jejíž elektrický odpor v souladu s polovodivým charakterem prvku s teplotou klesá. Krystaluje v kubické soustavě (rSi-Si = 235 pm) se strukturou podobnou diamantu. Za vysokých tlaků lze připravit druhou, rovněž kubickou, modifikaci s deformovaným tetraedrickým uspořádáním atomů křemíku mající vyšší hustotu (2,55 g.cm-3) a meziatomové vzdálenosti 230 a 239 pm.

Nejčastější oxidační stav křemíku je +IV a -IV, velmi málo se uplatňuje +II. Nepolární kovalentní vazby Si–Si existují v elementárním křemíku a některých silanech a halogensilanech, všechny ostatní vazby jsou silně polární (vazba Si-O v oxidu křemičitém je z 50 % iontová). Pro malou elektronegativitu (1,8) není křemík schopen tvořit vodíkové můstky. Přes shodný počet elektronů ve valenčních sférách křemíku a uhlíku se jejich chemie výrazně liší. Křemík postrádá pro uhlík charakteristickou schopnost řetězení vzhledem k přibližně poloviční energii vazby Si–Si oproti vazbě C–C. Rovněž vazby Si–H jsou podstatně slabší než C–H. Silany jsou proto na rozdíl od alkanů nestálé a reaktivní. Vazby s kyslíkem a lehčími halogeny jsou naopak pevnější u křemíku než u uhlíku. Křemík je schopen tvořit více než čtyři σ-vazby, k tvorbě π-vazeb využívá d-orbitalů (vazby pπ-dπ hrají významnou úlohu ve struktuře křemene i kondenzovaných křemičitanů). Struktura některých analogických sloučenin uhlíku a křemíku (SiO2/CO2, SiS2/CS2) je proto zcela odlišná, chemie křemíku nezná obdobu karboxylových kyselin a v chemii uhlíku neexistují analoga křemičitanů a hlinitokřemičitanů.

Křemík se vyrábí redukcí oxidu křemičitého karbidem vápenatým nebo uhlíkem

SiO2 + CaC2→ Si + Ca + 2 CO

SiO2 + 2 C→ Si + CO2

Vysoká energetická náročnost obou reakcí vyžaduje použití elektrických pecí. V praxi se redukce uhlíkem uskutečňuje v přítomnosti železného šrotu a získá se tak slitina křemíku se železem (ferrosilicium), která se v hutnictví používá jako technický křemík. Za vhodných podmínek může vznikat i karbid křemičitý SiC.

Vysoce čistý křemík se získává redukcí hexafluorokřemičitanu draselného Na2SiF6 (odpadní produkt v průmyslu fosforečných hnojiv) sodíkem. Následným čištěním zonální tavbou lze získat kov s obsahem nečistot 10-9-10-12 %, který se používá k výrobě tranzistorů.