SKÁCELOVÁ, Dana, Pavel SŤAHEL a Mirko ČERNÁK. Activation of silicon surface in atmospheric oxygen plasma. CHEMICKÉ LISTY. Praha: Česká společnost chemická, 2012, roč. 106, S, s. 1488-1490. ISSN 0009-2770.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Activation of silicon surface in atmospheric oxygen plasma
Autoři SKÁCELOVÁ, Dana (203 Česká republika, garant, domácí), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí) a Mirko ČERNÁK (703 Slovensko, domácí).
Vydání CHEMICKÉ LISTY, Praha, Česká společnost chemická, 2012, 0009-2770.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 0.453
Kód RIV RIV/00216224:14310/12:00064633
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000324813100016
Klíčová slova anglicky DCSBD; Si wafer; activation; oxygen plasma
Štítky AKR, rivok
Změnil Změnila: Mgr. Dana Skácelová, Ph.D., učo 106528. Změněno: 3. 4. 2013 10:04.
Anotace
In this contribution, the surface modification of crystalline silicon surface in oxygen atmosphere was investigated. Moreover the effect of crystallographic orientation and surface pre-cleaning of silicon surface were studied. c-Si wafers (100) and (111) oriented were cleaned in isopropyl alcohol or etched in HF solution and afterwards treated in Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge. Wettability, changes of surface properties and ageing effect of plasma treated surface were studied by means of contact angle measurement. It was proved, that modification of c-Si surface in oxygen plasma improve the wettability independent on crystallographic orientation and initial cleaning process.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 14:44