2013
Perfect crystals grown from imperfect interfaces
FALUB, Claudiu Valentin, Mojmír MEDUŇA, Daniel CHRASTINA, Fabio ISA, Anna MARZEGALLI et. al.Základní údaje
Originální název
Perfect crystals grown from imperfect interfaces
Název česky
Dokonalé krystaly rostlé z nedokonalých rozhraní
Autoři
FALUB, Claudiu Valentin (642 Rumunsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), Fabio ISA (380 Itálie), Anna MARZEGALLI (380 Itálie), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), Alfonso TABOADA (724 Španělsko), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Leo MIGLIO (380 Itálie), Alex DOMMANN (756 Švýcarsko) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko)
Vydání
Scientific Reports, London, Nature Publishing Group, 2013, 2045-2322
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 5.078
Kód RIV
RIV/00216224:14740/13:00068896
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000322153800004
Klíčová slova česky
elektronické součástky; polovodiče; zobrazovací metody
Klíčová slova anglicky
electronic devices; semiconductors; imaging techniques
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 3. 2018 10:46, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
We prove by scanning X-ray nanodiffraction that mismatched Ge crystals epitaxially grown on deeply patterned Si substrates evolve into perfect structures away from the heavily islocated interface.
Česky
Pomocí skenovací rtg nanodifrakce dokazujeme, že mřížkově nepřízpůsobené Ge krystaly vyrostlé epitaxně na hluboce vzorkovaných Si substrátech se vyvinou v dokonalé struktury daleko od dislokačního rozhraní.
Návaznosti
CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU |
| ||
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
EE2.3.20.0027, projekt VaV |
| ||
MSM0021622410, záměr |
|