2013
PECVD of nanostructured SiO2 in a modulated microwave plasma jet at atmospheric pressure
HNILICA, Jaroslav; Jan SCHÄFER; Rüdiger FOEST; Lenka ZAJÍČKOVÁ; Vít KUDRLE et al.Základní údaje
Originální název
PECVD of nanostructured SiO2 in a modulated microwave plasma jet at atmospheric pressure
Autoři
Vydání
J. Phys. D: Appl. Phys. 2013, 0022-3727
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 2.521
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/13:00068976
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
Klíčová slova anglicky
PECVD; modulated; microwave; plasma jet; atmospheric pressure
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 14. 7. 2015 10:14, Olga Křížová
Anotace
V originále
We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a microwave plasma jet operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
Návaznosti
| ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
| ED2.1.00/03.0086, projekt VaV |
| ||
| 7AMB12DE005, projekt VaV |
|