Detailed Information on Publication Record
2013
Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B
CAHA, Ondřej, P. KOSTELNÍK, Jan ŠIK, Y.D. KIM, Josef HUMLÍČEK et. al.Basic information
Original name
Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B
Name in Czech
Mřížkové parametry a optická odezva pseudomorfní slitiny SiGe:B
Authors
CAHA, Ondřej (203 Czech Republic, belonging to the institution), P. KOSTELNÍK (203 Czech Republic), Jan ŠIK (203 Czech Republic, belonging to the institution), Y.D. KIM (410 Republic of Korea) and Josef HUMLÍČEK (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution)
Edition
Applied Physics Letters, USA, American institute of physics, 2013, 0003-6951
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United States of America
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impact factor
Impact factor: 3.515
RIV identification code
RIV/00216224:14740/13:00065531
Organization unit
Central European Institute of Technology
UT WoS
000327818700048
Keywords in English
silicon; SiGe alloys; heavy doping
Tags
Tags
International impact, Reviewed
Změněno: 8/2/2018 09:38, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
V originále
Pseudomorph epitaxial films of Si1-xGex:B were grown on undoped (100) Si for x<0.026 and the B concentration of 1.3E20 cm-3. The in-plane and out-of-plane lattice constants were determined using the X-ray techniques for 004 symmetric and 224 asymmetric diffraction. The influence of B and Ge co-doping has been detected in reflectance and ellipsometric spectra from infrared to ultraviolet. Free-hole plasma and Fano-type resonances of Si phonons and localized 11B and 10B vibrations have been observed. The spectral shift of E1 electronic transitions has been quantified. We found a simple way to test the variations of Ge content using relative reflectance spectra.
In Czech
Pseudomorní epitaxní vrstvy Si1-xGex:B byly připraveny na nedopovaném (100) Si pro x<0.026 a koncentraci B 1.3E20 cm-3. Mřížkové konstanty v rovině vrstvy a kolmo na ni byly určeny pomocí symetrické rtg difrakce 004 a asymetrické difrakce 224. Vliv dopingu B a Ge byl detekován v reflexních a elipsometrických spektrech v oblasti IR-UV. Byla pozorována odezva plasmatu volných děr a Fanova rezonance fononů Si a lokalizovaných vibrací 11B a 10B. Spektrální posuv přechodů E1 byl kvantifikován. Našli jsme jednoduchou možnost testu změn obsahu Ge užitím spekter relativní reflektance.
Links
| MUNI/A/1047/2009, interní kód MU |
| ||
| TA01010078, research and development project |
|