2013
Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B
CAHA, Ondřej, P. KOSTELNÍK, Jan ŠIK, Y.D. KIM, Josef HUMLÍČEK et. al.Základní údaje
Originální název
Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B
Název česky
Mřížkové parametry a optická odezva pseudomorfní slitiny SiGe:B
Autoři
CAHA, Ondřej (203 Česká republika, domácí), P. KOSTELNÍK (203 Česká republika), Jan ŠIK (203 Česká republika, domácí), Y.D. KIM (410 Korejská republika) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí)
Vydání
Applied Physics Letters, USA, American institute of physics, 2013, 0003-6951
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 3.515
Kód RIV
RIV/00216224:14740/13:00065531
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000327818700048
Klíčová slova anglicky
silicon; SiGe alloys; heavy doping
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 8. 2. 2018 09:38, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.
V originále
Pseudomorph epitaxial films of Si1-xGex:B were grown on undoped (100) Si for x<0.026 and the B concentration of 1.3E20 cm-3. The in-plane and out-of-plane lattice constants were determined using the X-ray techniques for 004 symmetric and 224 asymmetric diffraction. The influence of B and Ge co-doping has been detected in reflectance and ellipsometric spectra from infrared to ultraviolet. Free-hole plasma and Fano-type resonances of Si phonons and localized 11B and 10B vibrations have been observed. The spectral shift of E1 electronic transitions has been quantified. We found a simple way to test the variations of Ge content using relative reflectance spectra.
Česky
Pseudomorní epitaxní vrstvy Si1-xGex:B byly připraveny na nedopovaném (100) Si pro x<0.026 a koncentraci B 1.3E20 cm-3. Mřížkové konstanty v rovině vrstvy a kolmo na ni byly určeny pomocí symetrické rtg difrakce 004 a asymetrické difrakce 224. Vliv dopingu B a Ge byl detekován v reflexních a elipsometrických spektrech v oblasti IR-UV. Byla pozorována odezva plasmatu volných děr a Fanova rezonance fononů Si a lokalizovaných vibrací 11B a 10B. Spektrální posuv přechodů E1 byl kvantifikován. Našli jsme jednoduchou možnost testu změn obsahu Ge užitím spekter relativní reflektance.
Návaznosti
| MUNI/A/1047/2009, interní kód MU |
| ||
| TA01010078, projekt VaV |
|