J 2014

X-Ray Nano-Diffraction on Epitaxial Crystals

MEDUŇA, Mojmír, Claudiu Valentin FALUB, Fabio ISA, Daniel CHRASTINA, Thomas KREILIGER et. al.

Základní údaje

Originální název

X-Ray Nano-Diffraction on Epitaxial Crystals

Název česky

Rtg nano-difrakce na epitaxních krystalech

Autoři

MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant, domácí), Claudiu Valentin FALUB (642 Rumunsko), Fabio ISA (380 Itálie), Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Alfonso TABOADA (724 Španělsko), Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko)

Vydání

Quantum Matter, American Scientific Publishers, 2014, 2164-7615

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Kód RIV

RIV/00216224:14740/14:00075287

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

Klíčová slova česky

bezdefektní; epitaxní Ge krystaly; nepřizpůsobená mřížka; nepřizpůsobená teplotní roztažnost; rtg nanodifrakce

Klíčová slova anglicky

defect-free; epitaxial ge-crystals; lattice mismatch; si substrates; thermal expansion mismatch; x-ray nanodiffraction

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 3. 2018 10:48, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

The concept of growing epitaxial Ge and SiGe crystals onto tall Si pillars may provide a means for solving the problems associated with lattice parameter and thermal expansion coefficient mismatch, i.e., dislocations, wafer bowing and cracks. For carefully tuned epitaxial growth conditions the lateral expansion of crystals stops once nearest neighbors get sufficiently close. We have carried out scanning nano-diffraction experiments at the ID01 beam-line of the European Synchrotron Radiation Facility (ESRF) in Grenoble on the resulting space-filling arrays of micron-sized crystals to assess their structural properties and crystal quality. Elastic relaxation of the thermal strain causes lattice bending close to the Si interface, while the dislocation network is responsible for minute tilts of the crystals as a whole. To exclude any interference from nearest neighbors, individual Ge crystals were isolated first by chemical etching followed by micro-manipulation inside a scanning electron microscope. This permitted us to scan an X-ray beam, focused to a spot a few hundreds of nm in size, along the height of a single crystal and to record three-dimensional reciprocal space maps at chosen heights. The resolution limited width of the scattered X-ray beams reveals that the epitaxial structures evolve into perfect single crystals sufficiently far away from the heavily dislocated interface.

Česky

Koncept růstu epitaxních Ge a SiGe krystalů na vysokých Si pilířích může poskytovat řešení problémů spojených s rozdílním mřížkovým parametrem a tepelnou roztažností, dislokace, ohyb desek a praskání. Omezená šířka rozlišení svazku odhaluje že epitaxní struktury se vyvinou v perfektní dokonalé krystaly daleko do tžce narušeného povrchu.

Návaznosti

CZ.1.05/1.1.00/02.0068, interní kód MU
Název: CEITEC - středoevropský technologický institut (Akronym: CEITEC)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC - středoevropský technologický institut, 1.1 Evropská centra excelence
CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU
Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV
Název: CEITEC - central european institute of technology