Zařízení pro měření rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku

BOČÁNEK, Luděk a Josef HUMLÍČEK. Zařízení pro měření rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku. 2014.

Základní údaje

• Originální název: Zařízení pro měření rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku
• Název anglicky: Apparatus for measuring recombinant processes in silicon epitaxial layers
• Autoři: BOČÁNEK, Luděk (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí).
• Vydání: 2014.

Další údaje

• Originální jazyk: čeština
• Typ výsledku: Výsledky s právní ochranou
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Česká republika
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/14:00073273
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Klíčová slova česky: epitaxní křemíkové vrstvy; rekombinace; doba života
• Klíčová slova anglicky: epitaxial silicon layers; recombination; carrier lifetime
• Štítky: AKR, rivok

Anotace

Zařízení pro sledování rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku umožňuje měřit elektrické proudy napříč strukturou. Pro měření proudů se využívá kontakt epitaxní vrstvy s polopropustnou kovovou elektrodou, přes kterou jsou nosiče excitovány světelnými pulsy vycházejícími z optického vlákna.

Anotace anglicky

Equipment for monitoring recombination processes in the epitaxial silicon layers is designed to measure electrical currents across the structure. The contact of epitaxial layer with a semitransparent metal electrode is used to measure the current of carriers excited by light pulses from an optical fiber.

Návaznosti

• TA01010078, projekt VaV: Název: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace (Akronym: ONSEMI)

Investor: Technologická agentura ČR, Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace