Detailed Information on Publication Record
2014
Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering
FRANK, Christian, Jiří NOVÁK, Rupak BANERJEE, Alexander GERLACH, Frank SCHREIBER et. al.Basic information
Original name
Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering
Name in Czech
Vývoj velikosti ostrůvků a molekulární difuze během růstu tenkých vrstev organických polovodičů studovaný pomocí časově rozlišeného spekulárního a difuzního rozptylu
Authors
FRANK, Christian (276 Germany), Jiří NOVÁK (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Rupak BANERJEE (356 India), Alexander GERLACH (276 Germany), Frank SCHREIBER (276 Germany), Alexei VOROBIEV (643 Russian Federation) and Stefan KOWARIK (276 Germany)
Edition
Physical Review B, Maryland (USA), The American Physical Society, 2014, 1098-0121
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United States of America
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
Impact factor
Impact factor: 3.736
RIV identification code
RIV/00216224:14740/14:00076244
Organization unit
Central European Institute of Technology
UT WoS
000339094100006
Keywords (in Czech)
Růst tenkých filmů; organické polovodiče; rentgenový rozptyl; depozice molekulovým svazkem
Keywords in English
Thin film growth; organic semiconductors; X-ray scattering; molecular beam deposition
Tags
International impact, Reviewed
Změněno: 2/4/2015 08:45, Martina Prášilová
V originále
We report on a combined off-specular and specular x-ray scattering growth study of ultrathin films of the prototypical organic semiconductor diindenoperylene (DIP, C32H16). We investigate the evolution of the in-plane correlation length and the growth kinetics of the films including their dependence on the substrate temperature and the growth rate. We observe a temperature-dependent collective rearrangement of DIP molecules from a transient surface induced to the thin-film phase, which can be rationalized by incorporating a thickness-dependent out-of-plane lattice parameter. We further observe that the nucleation behavior of DIP changes from the first to the second monolayer, which we relate to a difference in the diffusion length of the molecules.
In Czech
Článek popisuje výsledky kombinované studie ultra-tenkých vrstev prototypického organického polovodiče diindenoperylenu (DIP, C32H16) pomocí difuzního a spekulárního rozptylu rentgenového záření. Zkoumáme vývoj laterálních korelačních délek a růstovou kinetiku včetně jejich závislosti na teplotě substrátu a rychlosti růstu. Pozorujeme teplotně závislé kolektivní přeuspořádání DIP molekul z přechodné povrchově indukované tenkovrstvé fáze, které může být vysvětleno zavedením závislosti mřížkového parametru ve směru růstu na tloušťce vrstvy. Dále pozorujeme odlišnou nukleaci DIP molekul v první a druhé mono-vrstvě, která je důsledkem rozdílu v laterálních difuzních délkách molekul v daných vrstvách.
Links
| ED1.1.00/02.0068, research and development project |
| ||
| 286154, interní kód MU |
|