2014
Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
MÜNZ, Filip a Josef HUMLÍČEKZákladní údaje
Originální název
Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
Název česky
Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
Název anglicky
Apparatus to measure thickness of SOI semiconductor layered structures
Autoři
MÜNZ, Filip (203 Česká republika, garant, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí)
Vydání
2014
Další údaje
Jazyk
čeština
Typ výsledku
Výsledky s právní ochranou
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Kód RIV
RIV/00216224:14310/14:00073312
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova česky
tenké vrstvy; mapování; spektroskopie
Klíčová slova anglicky
thin layer; mapping; spectroscopy
Štítky
Změněno: 2. 4. 2015 16:02, Ing. Andrea Mikešková
V originále
Technické řešení se týká zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI optickou metodou ve VIS/NIR oblasti s přesností cca 30 nm v rozsahu 1-10 mikrometrů; zahrnuje zdroj záření, optická vlákna, skener, spektrometr, řídící elektroniku a počítač.
Anglicky
Technical solution targets measurements of thickness of SOI layered semiconductor structures through optical means in VIS/NIR range with precision of 30 nm in 1-10 micron range; it comprises a light source, optical fibers, scanner, spectrometer, control electronics and computer
Návaznosti
| TA01010078, projekt VaV |
|