Metrology of epitaxial layers *GaN

CAHA, Ondřej, Chennan WANG, Filip MÜNZ and Josef HUMLÍČEK. Metrology of epitaxial layers *GaN. Masarykova univerzita, Brno: ONSEMI, 2014, 67 pp. Report LDDA 2014.

Basic information

Original name

Metrology of epitaxial layers *GaN

Name in Czech

Metrologie GaN

Authors

CAHA, Ondřej (203 Czech Republic, belonging to the institution), Chennan WANG (156 China, belonging to the institution), Filip MÜNZ (203 Czech Republic, belonging to the institution) and Josef HUMLÍČEK (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution)

Edition

Masarykova univerzita, Brno, 67 pp. Report LDDA 2014, 2014

Publisher

ONSEMI

---

Other information

Language

English

Type of outcome

Výzkumná zpráva

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

Czech Republic

Confidentiality degree

obsah podléhá obchodnímu tajemství

RIV identification code

RIV/00216224:14740/14:00079942

Organization unit

Central European Institute of Technology

Keywords in English

layered structures; GaN; AlGaN; silicon

Tags

KONTROLA OK, rivok

---

Abstract

V originále

*Utilization of characterization methods for development of *Al/GaN epitaxial technology. Evaluating the feasibility of MOCVD epitaxial growth of HEMT materials including structure characteristics and characterization methods. · Perform characterization of optical properties of *Al/GaN layered system and propose metrology for layer thickness estimation. · Perform correlation of measurement with FTIR system. · Develop x-ray methods for characterization of defects in epitaxial *Al/GaN layers. · Develop x-ray methods for fast analysis of composition of epitaxial *Al/GaN layers.

In Czech

Použití charakterizačních metof pro vývoj epitaxní technologie Al/GaN. Posouzení proveditelnosti vytváření struktur HEMT pomocí epitaxního růstu MOVPE, strukturní charakteristiky a charakterizační metody. · Chrakterizace optických vlastností vrstevnatých struktur Al/GaN a návrh metrologie tloušťek. · Korelační měření systémem FTIR. · Vývoj rentgenových metod pro charakterizaci defektů v epitaxních vrstvách Al/GaN. · Vývoj rentgenových metod pro rychlou analýzu složení epitaxních vrstev Al/GaN.