MÜNZ, Filip a Josef HUMLÍČEK. Imaging in NIR *SOI, GaN. Masarykova univerzita, Brno: ONSEMI, 2014, 20 s. Report LDDA 2014.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Imaging in NIR *SOI, GaN
Název česky Zobrazování v NIR *SOI, GaN
Autoři MÜNZ, Filip (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí).
Vydání Masarykova univerzita, Brno, 20 s. Report LDDA 2014, 2014.
Nakladatel ONSEMI
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Výzkumná zpráva
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení obsah podléhá obchodnímu tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14740/14:00079946
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Klíčová slova anglicky layered structures; SOI; GaN; AlGaN; silicon
Štítky KONTROLA OK, rivok
Změnil Změnila: Olga Křížová, učo 56639. Změněno: 10. 4. 2015 15:29.
Anotace
*Tools for imaging of interferences in thin layers. Completed prototype of equipment for imaging of interferences on 150 mm GaN on Si and 150 and 200 mm SOI wafers. Validate the method and equipment with analysis of SOI and GaN wafers (comparison of thickness maps with FTIR and SEM values. Prepare basic technical documentation, working instructions, recipes and metrological instructions.
Anotace česky
*Nástroje pro zobrazování interferencí v tenkých vrstvách. Prototyp zařízení pro 150 mm GaN na Si a 150 a 200 mm SOI wafery.
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 11:09