V 2014

Imaging in NIR *SOI, GaN

MÜNZ, Filip a Josef HUMLÍČEK

Základní údaje

Originální název

Imaging in NIR *SOI, GaN

Název česky

Zobrazování v NIR *SOI, GaN

Autoři

MÜNZ, Filip (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí)

Vydání

Masarykova univerzita, Brno, 20 s. Report LDDA 2014, 2014

Nakladatel

ONSEMI

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Výzkumná zpráva

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

obsah podléhá obchodnímu tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14740/14:00079946

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

Klíčová slova anglicky

layered structures; SOI; GaN; AlGaN; silicon

Štítky

Změněno: 10. 4. 2015 15:29, Olga Křížová

Anotace

ORIG CZ

V originále

*Tools for imaging of interferences in thin layers. Completed prototype of equipment for imaging of interferences on 150 mm GaN on Si and 150 and 200 mm SOI wafers. Validate the method and equipment with analysis of SOI and GaN wafers (comparison of thickness maps with FTIR and SEM values. Prepare basic technical documentation, working instructions, recipes and metrological instructions.

Česky

*Nástroje pro zobrazování interferencí v tenkých vrstvách. Prototyp zařízení pro 150 mm GaN na Si a 150 a 200 mm SOI wafery.