J 2015

PIC/MCC Simulation of Electron and Ion Currents to Spherical Langmuir Probe

TRUNEC, David, Zdeněk BONAVENTURA, Petr ZIKÁN a Jaroslav JÁNSKÝ

Základní údaje

Originální název

PIC/MCC Simulation of Electron and Ion Currents to Spherical Langmuir Probe

Název česky

PIC/MCC simulace elektronových a iontových proudů na kulovou Langmuirovu sondu

Autoři

TRUNEC, David (203 Česká republika, garant, domácí), Zdeněk BONAVENTURA (203 Česká republika, domácí), Petr ZIKÁN (203 Česká republika, domácí) a Jaroslav JÁNSKÝ (203 Česká republika, domácí)

Vydání

Contributions to Plasma Physics, DOI 10.1002/ctpp.201400046, 2015, 0863-1042

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Německo

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 1.255

Kód RIV

RIV/00216224:14310/15:00083068

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000362979800005

Klíčová slova česky

PIC/MCC simulace; Langmuirova sonda

Klíčová slova anglicky

PIC/MCC simulation; Langmuir probe; probe currents

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 8. 4. 2016 10:02, Ing. Andrea Mikešková

Anotace

V originále

The Particle In Cell/Monte Carlo Collisions (PIC/MCC) simulation was used for the calculation of electron and ion currents to a spherical Langmuir (electrostatic) probe. This simulation took into account the collisions of collected charged particles with neutral gas particles around the probe and it can calculate the probe currents at higher neutral gas pressures.

Česky

Particle In Cell/Monte Carlo Collisions (PIC/MCC) simulace byla použita pro výpočet elektronového a iontového proudu na kulovou Langmuirovu (elektrostatickou) sondu. Tato simulace uvažovala srážky nabitých částic s částicemi neutrálního plynu v okolí sondy a může počítat sondové proudy při vyšších tlacích neutrálního plynu.

Návaznosti

ED2.1.00/03.0086, projekt VaV
Název: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
LO1411, projekt VaV
Název: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy