ŠTĚPÁNOVÁ, Vlasta, Lubomír PROKEŠ, Pavel SLAVÍČEK, Milan ALBERTI a Josef HAVEL. Physical Vapour Deposition of As-Te glass layers and Mass Spectrometry analysis. In CEITEC PhD Retreat, 23-24 April 2015, Valtice, Czech Republic. 2015. ISBN 978-80-210-7825-3.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Physical Vapour Deposition of As-Te glass layers and Mass Spectrometry analysis
Autoři ŠTĚPÁNOVÁ, Vlasta (203 Česká republika, garant, domácí), Lubomír PROKEŠ (203 Česká republika, domácí), Pavel SLAVÍČEK (203 Česká republika, domácí), Milan ALBERTI (203 Česká republika, domácí) a Josef HAVEL (203 Česká republika, domácí).
Vydání CEITEC PhD Retreat, 23-24 April 2015, Valtice, Czech Republic, 2015.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Konferenční abstrakt
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/15:00080934
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 978-80-210-7825-3
Klíčová slova anglicky LDI TOF MS; chalcogenide glasses; As-Te glass layers; PVD; thermal evaporation
Štítky AKR
Změnil Změnila: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Změněno: 28. 4. 2016 14:40.
Anotace
The aim of this work is to introduce the preparation and analysis of chalcogenide glass thin films. Chalcogenide glasses show remarkable optical or physico-chemical properties and are finding applications in electronics, computer technology, optoelectronics, optical modulation, energy generation, and optical sensors. Arsenic tellurium glassy layers were prepared via Physical Vapour Deposition (PVD) – thermal evaporation from As-Te mixtures. Interaction of tellurium with arsenic was studied via laser ablation synthesis using Laser Desorption Ionisation Time of Flight Mass Spectrometry (LDI TOF MS) which has a high potential for generation of new compounds. Clusters of As-Te were generated using nitrogen laser while stoichiometry of AsmTen was determined via analysis of isotopic envelopes and computer modeling. Scanning Electron Microscope (SEM) was used for characterization the topology of deposited layers and Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX) was used for evaluation the distribution of arsenic and tellurium in layer. Laser ablation synthesis with LDI TOF MS shows formation of AsmTen clusters. Distribution of arsenic and tellurium in cross section of layer was homogenous. New As-Te glass layers were manufactured and analyzed. Determined stoichiometry of As-Te clusters might inspire the development of new chalcogenide materials.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
GA13-05082S, projekt VaVNázev: Analýza a aplikace plazmatických procesů pro přípravu tenkých vrstev amorfních chalkogenidů
Investor: Grantová agentura ČR, Analýza a aplikace plazmatických procesů pro přípravu tenkých vrstev amorfních chalkogenidů
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 20:40