Detailed Information on Publication Record
2015
Direct observation of conductive filament formation in Alq3 based organic resistive memories
BUSBY, Yan, Sebastian NAU, Stefan SAX, Emil LIST-KRATOCHVIL, Jiří NOVÁK et. al.Basic information
Original name
Direct observation of conductive filament formation in Alq3 based organic resistive memories
Name in Czech
Přímé pozorování formování vodivých vláke v organických odporových pamětích založených na Alq3
Authors
BUSBY, Yan (380 Italy), Sebastian NAU (40 Austria), Stefan SAX (40 Austria), Emil LIST-KRATOCHVIL (40 Austria), Jiří NOVÁK (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Rupak BANERJEE (356 India), Frank SCHREIBER (276 Germany) and Jean-Jacque PIREAUX (56 Belgium)
Edition
Journal of Applied Physics, Melville (USA), AMER INST PHYSICS, 2015, 0021-8979
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United States of America
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
Impact factor
Impact factor: 2.101
RIV identification code
RIV/00216224:14740/15:00084346
Organization unit
Central European Institute of Technology
UT WoS
000360441900051
Keywords (in Czech)
Stříbro; Alq3; difúze; elektrody; negativní rezistance; hybridní organické-anorganické paměti; odporové přepínání; kovové nano-částice; vláknová vodivost; RTG reflektivita; XPS; hmotnostní spektroskopie z doby letu sekundárních iontů
Keywords in English
Silver; Alq3; diffusion; electrodes; negative resitance; hybrid organic-inorganic memories; resistive switching; metal nano-particles; filamentary conduction; X-ray reflectivity; XPS; ToF-SIMS
Tags
Tags
International impact, Reviewed
Změněno: 1/4/2016 10:38, Mgr. Eva Špillingová
V originále
This work explores resistive switching mechanisms in non-volatile organic memory devices based on tris(8-hydroxyquinolie) aluminum (Alq(3)). Advanced characterization tools are applied to investigate metal diffusion in ITO/Alq(3)/Ag memory device stacks leading to conductive filament formation. The morphology of Alq(3)/Ag layers as a function of the metal evaporation conditions is studied by X-ray reflectivity, while depth profile analysis with X-ray photoelectron spectroscopy and time-of-flight secondary ion mass spectrometry is applied to characterize operational memory elements displaying reliable bistable current-voltage characteristics. 3D images of the distribution of silver inside the organic layer clearly point towards the existence of conductive filaments and allow for the identification of the initial filament formation and inactivation mechanisms during switching of the device. Initial filament formation is suggested to be driven by field assisted diffusion of silver from abundant structures formed during the top electrode evaporation, whereas thermochemical effects lead to local filament inactivation.
In Czech
Tato práce zkoumá mechanizmus odporového spínání v stalých odporových paměťových článcích založených na tri(8-hydroxyquinolnu) hliníku (Alq(3)). Difuze kovu v paměťových článcích sendvičové struktury ITO/Alq(3)/Ag vedoucí k tvorbě vodivých vláken je zkoumána pokročilými charakterizačními metodami. Morfologie dvou-vrstev Alq(3)/Ag v závislosti na depozičních parametrech je studována pomocí RTG reflektivity a analýza hloubkového profilu je prováděna RTG fotoelektronovou spetkroskopií. Dále je použita technika hmotnostní spektroskopie z doby letu sekundárních iontů k charakterizaci funkčních pamětí vykazujících bi-stabilní volt-ampérovou charakteristiku. 3D snímky rozložení stříbra uvnitř organické vrstvy jasně ukazuje existenci vodivostních vláken a umožňuje identifikaci počátečního formování vlákna a mechanizmus de-aktivace v průběhu přepínání paměťového elementu. Tyto pozorování naznačují formování vláken způsobené elektrickým polem vyvolanou difuzí stříbra z vrchních napařených Ag elektrod a de-aktivaci vláken skrze termochemické efekty.
Links
| ED1.1.00/02.0068, research and development project |
|