2016
Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure
SCHÄFER, Jan, Jaroslav HNILICA, Jiří ŠPERKA, Antje QUADE, Vít KUDRLE et. al.Základní údaje
Originální název
Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure
Autoři
SCHÄFER, Jan (203 Česká republika), Jaroslav HNILICA (203 Česká republika, domácí), Jiří ŠPERKA (203 Česká republika, domácí), Antje QUADE (276 Německo), Vít KUDRLE (203 Česká republika, garant, domácí), Rüdiger FOEST (276 Německo), Jiří VODÁK (203 Česká republika, domácí) a Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Surface and Coatings Technology, 2016, 0257-8972
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.589
Kód RIV
RIV/00216224:14310/16:00087594
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000376834700017
Klíčová slova anglicky
Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane; Tetrakis(trimethylsiloxy)silane; Plasma jet; Silicon dioxide
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 26. 2. 2019 07:02, doc. Mgr. Jaroslav Hnilica, Ph.D.
Anotace
V originále
We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a radiofrequency and a microwave plasma jets operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
ED2.1.00/03.0086, projekt VaV |
| ||
LO1411, projekt VaV |
| ||
TE02000011, projekt VaV |
|