ISA, F., M. SALVALAGLIO, YAR. DASILVA, Mojmír MEDUŇA, M. BARGET, A. JUNG, T. KREILIGER, Gisella CANO I RUIZ, R. ERNI, F. PEZZOLI, E. BONERA, P. NIEDERMANN, P. GRONING, F. MONTALENTI a Hans VON KAENEL. Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures. ADVANCED MATERIALS. WEINHEIM: WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2016, roč. 28, č. 5, s. 884-888. ISSN 0935-9648. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures
Název česky Vysoce nepřizpůsobené bezdislokační SiGe/Si heterostruktury
Autoři ISA, F. (380 Itálie), M. SALVALAGLIO (380 Itálie), YAR. DASILVA (756 Švýcarsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), M. BARGET (380 Itálie), A. JUNG (756 Švýcarsko), T. KREILIGER (756 Švýcarsko), Gisella CANO I RUIZ (380 Itálie), R. ERNI (756 Švýcarsko), F. PEZZOLI (380 Itálie), E. BONERA (380 Itálie), P. NIEDERMANN (756 Švýcarsko), P. GRONING (756 Švýcarsko), F. MONTALENTI (380 Itálie) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko).
Vydání ADVANCED MATERIALS, WEINHEIM, WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2016, 0935-9648.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Německo
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 19.791
Kód RIV RIV/00216224:14740/16:00089505
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029
UT WoS 000369978800010
Klíčová slova česky heteroepitaxe; heterostruktury; relaxace pnutí; SiGe; vzorkovaný substrát
Klíčová slova anglicky heteroepitaxy; heterostructures; strain relaxation; SiGe; substrate patterning
Štítky rivok
Změnil Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 13. 3. 2018 10:02.
Anotace
Defect-free mismatched heterostructures on Si substrates are produced by an innovative strategy. The strain relaxation is engineered to occur elastically rather than plastically by combining suitable substrate patterning and vertical crystal growth with compositional grading.
Anotace česky
Bezdislokační nepřizpůsobené heterostruktury na Si substrítech jsou vyrobeny novou strategií. Relaxace pnutí je navrženo tak že je elastické spíše než plastické, kombinací vhodného vzorkovaného substrátu a vertikálním růstem krystaslů s gradovaným složením.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
EE2.3.20.0027, projekt VaVNázev: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií
LM2011020, projekt VaVNázev: CEITEC ? open access
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC - open access
VytisknoutZobrazeno: 23. 7. 2024 22:16