Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures

J 2016

Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures

ISA, F., M. SALVALAGLIO, YAR. DASILVA, Mojmír MEDUŇA, M. BARGET et. al.

Základní údaje

Originální název

Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures

Název česky

Vysoce nepřizpůsobené bezdislokační SiGe/Si heterostruktury

Autoři

ISA, F. (380 Itálie), M. SALVALAGLIO (380 Itálie), YAR. DASILVA (756 Švýcarsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), M. BARGET (380 Itálie), A. JUNG (756 Švýcarsko), T. KREILIGER (756 Švýcarsko), Gisella CANO I RUIZ (380 Itálie), R. ERNI (756 Švýcarsko), F. PEZZOLI (380 Itálie), E. BONERA (380 Itálie), P. NIEDERMANN (756 Švýcarsko), P. GRONING (756 Švýcarsko), F. MONTALENTI (380 Itálie) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko)

Vydání

ADVANCED MATERIALS, WEINHEIM, WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2016, 0935-9648

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Německo

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 19.791

Kód RIV

RIV/00216224:14740/16:00089505

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029

UT WoS

000369978800010

Klíčová slova česky

heteroepitaxe; heterostruktury; relaxace pnutí; SiGe; vzorkovaný substrát

Klíčová slova anglicky

heteroepitaxy; heterostructures; strain relaxation; SiGe; substrate patterning

Štítky

rivok

Změněno: 13. 3. 2018 10:02, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Defect-free mismatched heterostructures on Si substrates are produced by an innovative strategy. The strain relaxation is engineered to occur elastically rather than plastically by combining suitable substrate patterning and vertical crystal growth with compositional grading.

Česky

Bezdislokační nepřizpůsobené heterostruktury na Si substrítech jsou vyrobeny novou strategií. Relaxace pnutí je navrženo tak že je elastické spíše než plastické, kombinací vhodného vzorkovaného substrátu a vertikálním růstem krystaslů s gradovaným složením.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

EE2.3.20.0027, projekt VaV

Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií

LM2011020, projekt VaV

Název: CEITEC ? open access

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC - open access

Citovat

ISA, F., M. SALVALAGLIO, YAR. DASILVA, Mojmír MEDUŇA, M. BARGET, A. JUNG, T. KREILIGER, Gisella CANO I RUIZ, R. ERNI, F. PEZZOLI, E. BONERA, P. NIEDERMANN, P. GRONING, F. MONTALENTI a Hans VON KAENEL. Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures. ADVANCED MATERIALS. WEINHEIM: WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2016, roč. 28, č. 5, s. 884-888. ISSN 0935-9648. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029.

@article{1338590,
   author = {Isa, F. and Salvalaglio, M. and Dasilva, YAR. and Meduňa, Mojmír and Barget, M. and Jung, A. and Kreiliger, T. and Cano i Ruiz, Gisella and Erni, R. and Pezzoli, F. and Bonera, E. and Niedermann, P. and Groning, P. and Montalenti, F. and von Kaenel, Hans},
   article_location = {WEINHEIM},
   article_number = {5},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029},
   keywords = {heteroepitaxy; heterostructures; strain relaxation; SiGe; substrate patterning},
   language = {eng},
   issn = {0935-9648},
   journal = {ADVANCED MATERIALS},
   title = {Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures},
   url = {http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504029/abstract},
   volume = {28},
   year = {2016}
}

TY  - JOUR
ID  - 1338590
AU  - Isa, F. - Salvalaglio, M. - Dasilva, YAR. - Meduňa, Mojmír - Barget, M. - Jung, A. - Kreiliger, T. - Cano i Ruiz, Gisella - Erni, R. - Pezzoli, F. - Bonera, E. - Niedermann, P. - Groning, P. - Montalenti, F. - von Kaenel, Hans
PY  - 2016
TI  - Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures
JF  - ADVANCED MATERIALS
VL  - 28
IS  - 5
SP  - 884-888
EP  - 884-888
PB  - WILEY-V C H VERLAG GMBH
SN  - 09359648
KW  - heteroepitaxy
KW  - heterostructures
KW  - strain relaxation
KW  - SiGe
KW  - substrate patterning
UR  - http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504029/abstract
L2  - http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504029/abstract
N2  - Defect-free mismatched heterostructures on Si substrates are produced by an innovative strategy. The strain relaxation is engineered to occur elastically rather than plastically by combining suitable substrate patterning and vertical crystal growth with compositional grading.
ER  -

ISA, F., M. SALVALAGLIO, YAR. DASILVA, Mojmír MEDUŇA, M. BARGET, A. JUNG, T. KREILIGER, Gisella CANO I RUIZ, R. ERNI, F. PEZZOLI, E. BONERA, P. NIEDERMANN, P. GRONING, F. MONTALENTI a Hans VON KAENEL. Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures. \textit{ADVANCED MATERIALS}. WEINHEIM: WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2016, roč.~28, č.~5, s.~884-888. ISSN~0935-9648. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029.

Podrobný výpis o publikaci