SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma

KRUMPOLEC, Richard, Jan ČECH a Mirko ČERNÁK. SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma. In 6th Central European Symposium on Plasma Chemistry. 2015. ISBN 978-88-6938-045-7.

Základní údaje

Originální název

SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma

Autoři

KRUMPOLEC, Richard, Jan ČECH a Mirko ČERNÁK

Vydání

6th Central European Symposium on Plasma Chemistry, 2015

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Konferenční abstrakt

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Itálie

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

ISBN

978-88-6938-045-7

Klíčová slova anglicky

DCSBD; atmospheric pressure; silicone oxide; hydrogen; etching

Příznaky

Mezinárodní význam

---

Anotace

V originále

The SiO2/Si etching was studied in DCSBD discharge generated in pure hydrogen at atmospheric pressure and room temeperature conditions. The estimated etching rate of SiO2 was approx. 1 nm/min.

---

Návaznosti

ED2.1.00/03.0086, projekt VaV	Název: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
LO1411, projekt VaV	Název: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus) Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy