MORÁVEK, Tomáš, Jan ČECH, Zdeněk NAVRÁTIL a Jozef RÁHEĽ. Pre-breakdown phase of coplanar dielectric barrier discharge in helium. The European Physical Journal Applied Physics. 2016, roč. 75, č. 2, s. "nestrankovano", 5 s. ISSN 1286-0042. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1051/epjap/2016150538.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Pre-breakdown phase of coplanar dielectric barrier discharge in helium
Autoři MORÁVEK, Tomáš (703 Slovensko, garant, domácí), Jan ČECH (203 Česká republika, domácí), Zdeněk NAVRÁTIL (203 Česká republika, domácí) a Jozef RÁHEĽ (703 Slovensko, domácí).
Vydání The European Physical Journal Applied Physics, 2016, 1286-0042.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Francie
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 0.684
Kód RIV RIV/00216224:14310/16:00087884
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2016150538
UT WoS 000380828500006
Klíčová slova anglicky coplanar DBD; discharge formation; helium
Štítky AKR, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: doc. Mgr. Zdeněk Navrátil, Ph.D., učo 3323. Změněno: 13. 3. 2018 11:01.
Anotace
Coplanar barrier discharge in single-pair electrode configuration was used to study the formation of helium diffuse mode discharge. Transition from Townsend avalanching to the cathode and anode directed ionization waves was documented by high-speed camera imaging. When alumina dielectric barrier was coated by a thin layer of high permittivity coating (epsilon_r = 120–140), a new partial discharge preceding the Townsend avalanching phase was clearly visible. We suggest that this new pre-Townsend breakdown event is analogous to the known backward discharge of surface barrier discharge. Low magnitude of local electric field strength during the pre-Townsend breakdown reduces the number of competing electron collision excitation processes. This opens a new opportunity for studying optical emission from surface charge recombination processes.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
GA13-24635S, projekt VaVNázev: Spektroskopické studium rekombinace povrchového náboje v dielektrických bariérových výbojích
Investor: Grantová agentura ČR, Spektroskopické studium rekombinace povrchového náboje v dielektrických bariérových výbojích
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 27. 5. 2024 07:45