2016
Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling
MEDUŇA, Mojmír, Claudiu Valentin FALUB, Fabio ISA, Anna MARZEGALLI, Daniel CHRASTINA et. al.Základní údaje
Originální název
Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling
Název česky
Ohyb mřížky ve 3D Ge mikrokrystalech studovaných pomocí rtg nanodifrakce a modelováním
Autoři
MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant, domácí), Claudiu Valentin FALUB (642 Rumunsko), Fabio ISA (380 Itálie), Anna MARZEGALLI (380 Itálie), Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Leo MIGLIO (380 Itálie), Alex DOMMANN (756 Švýcarsko) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko)
Vydání
Journal of Applied Crystallography, Chester, INT UNION CRYSTALLOGRAPHY, 2016, 1600-5767
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 2.614
Kód RIV
RIV/00216224:14740/16:00089936
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000377020600028
Klíčová slova česky
skenovací rtg nanodifrakce; ohyb mřížky; Ge mikrokrystaly; relaxace teplotního pnutí
Klíčová slova anglicky
scanning X-ray nanodiffraction; lattice bending; Ge microcrystals; thermal strain relaxation
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 3. 2018 10:03, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
Anotace
V originále
Extending the functionality of ubiquitous Si-based microelectronic devices often requires combining materials with different lattice parameters and thermal expansion coefficients. In this paper, scanning X-ray nanodiffraction is used to map the lattice bending produced by thermal strain relaxation in heteroepitaxial Ge microcrystals of various heights grown on high aspect ratio Si pillars. The local crystal lattice tilt and curvature are obtained from experimental three-dimensional reciprocal space maps and compared with diffraction patterns simulated by means of the finite element method. The simulations are in good agreement with the experimental data for various positions of the focused X-ray beam inside a Ge microcrystal. Both experiment and simulations reveal that the crystal lattice bending induced by thermal strain relaxation vanishes with increasing Ge crystal height.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
EE2.3.20.0027, projekt VaV |
| ||
LQ1601, projekt VaV |
|