Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges

MEDUŇA, Mojmír, Thomas KREILIGER, Ivan PRIETO, Marco MAUCERI, Marco PUGLISI, Fulvio MANCARELLA, Francesco LA VIA, Danilo CRIPPA, Leo MIGLIO a Hans VON KÄNEL. Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges. Materials Science Forum. Switzerland: Trans Tech Publications, 2016, roč. 858, May, s. 147-150. ISSN 1662-9752. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147.

Základní údaje

• Originální název: Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges
• Název česky: Analýza vrstevných chyb epitaxního 3C-SiC na Si(001) hřebenech
• Autoři: MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant, domácí), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), Ivan PRIETO (756 Švýcarsko), Marco MAUCERI (380 Itálie), Marco PUGLISI (380 Itálie), Fulvio MANCARELLA (380 Itálie), Francesco LA VIA (380 Itálie), Danilo CRIPPA (380 Itálie), Leo MIGLIO (380 Itálie) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko).
• Vydání: Materials Science Forum, Switzerland, Trans Tech Publications, 2016, 1662-9752.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Švýcarsko
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Kód RIV: RIV/00216224:14740/16:00090003
• Organizační jednotka: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147
• Klíčová slova česky: difrakce s vysokým rozlišením; skenovací elektronová mikroskopie s vysokým rozlišením; elektronová difrakce zpětného rozptylu; vrstevné chyby; vzorkované Si substráty; heteroepitaxe; 3C-SiC
• Klíčová slova anglicky: High-resolution X-ray diffraction; high-resolution scanning electron microscopy; electron backscatter diffraction; stacking faults; patterned Si substrates; heteroepitaxy; 3C-SiC
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

The stacking faults (SFs) in 3C-SiC epitaxially grown on ridges deeply etched into Si(001) substrates offcut towards [110] were quantitatively analyzed by electron microscopy and X-ray diffraction.

Anotace česky

Vrstevné chyby (SFs) ve 3C-SiC vyrobeném epitaxně na hřebenech hluboce vyleptaných do Si(001) substrátu s ofcutem ve směru [110] byly kvantitativně analyzovány pomocí elektronové mikroskopie a rtg difrakce.

Návaznosti

• CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU: Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě

• ED1.1.00/02.0068, projekt VaV: Název: CEITEC - central european institute of technology
• EE2.3.20.0027, projekt VaV: Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií