ŠÚTOROVÁ, Katarína, Lubomír PROKEŠ, Virginie NAZABAL, Emeline BAUDET, Josef HAVEL a Petr NĚMEC. Laser desorption ionisation time-of-flight mass spectrometry of glasses and amorphous films from Ge-As-Se system. JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY. BLACKWELL PUBLISHING, 2016, roč. 99, č. 11, s. 3594-3599. ISSN 0002-7820. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1111/jace.14366.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Laser desorption ionisation time-of-flight mass spectrometry of glasses and amorphous films from Ge-As-Se system
Autoři ŠÚTOROVÁ, Katarína (703 Slovensko, domácí), Lubomír PROKEŠ (203 Česká republika, domácí), Virginie NAZABAL (250 Francie), Emeline BAUDET (250 Francie), Josef HAVEL (203 Česká republika, domácí) a Petr NĚMEC (203 Česká republika, garant).
Vydání JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, BLACKWELL PUBLISHING, 2016, 0002-7820.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10406 Analytical chemistry
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 2.841
Kód RIV RIV/00216224:14310/16:00087981
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1111/jace.14366
UT WoS 000387208400016
Klíčová slova anglicky LDI TOFMS; chalcogenide glasses; structure; clusters; germanium; arsenic; selenium
Štítky AKR, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Změněno: 26. 4. 2017 21:38.
Anotace
Laser Desorption Ionization Time-of-Flight Mass Spectrometry was exploited for the characterization of Ge-As-Se chalcogenide glasses and corresponding thin films fabricated by using pulsed laser deposition. Main achievement of the paper is the determination of laser generated clusters’ stoichiometry. The clusters observed were Asb+ (b = 1-3), Se2-, binary AsbSe+ (b = 1-3), AsbSec- (b = 1-3,c = 1-4), Ge2Sec- (c = 2-3), As3Se2+, Ge2Asb- (b = 2-3), Ge3Asb- (b = 1-2), Ge3Se4-, As5Sec- (c = 4-5), GeAsSe4-, GeaAsSe5- (a = 1-4), GeAs2Se3-, GeAs3Se2-, Ge2As2Se2-, Ge2AsSec- (c = 6-7), and GeAs3Sec- (c = 5-6) (in positive as well as in negative ion mode). The stoichiometries of identified species are compared with the structural units of the glasses/thin films revealed via Raman scattering spectra analysis. Some species are suggested to be fragments of bulk glass as well as thin films. Described method is useful also for the evaluation of the contamination of chalcogenide glasses or their thin films.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
GA13-05082S, projekt VaVNázev: Analýza a aplikace plazmatických procesů pro přípravu tenkých vrstev amorfních chalkogenidů
Investor: Grantová agentura ČR, Analýza a aplikace plazmatických procesů pro přípravu tenkých vrstev amorfních chalkogenidů
VytisknoutZobrazeno: 20. 7. 2024 12:10